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本发明属于氢气传感器技术领域,特别是一种适用于测试高于1%的氢气传感器。本发明针对目前基于半导体式气敏传感器在高能浓度氢气传感方面较为困难,考虑到钯、金、铂等贵金属对氢气具有选择性吸附且对氢气有催化溢流的效应,降低反应的活化能,利用贵金属与半导体的协同作用从而可以提高氢气检测上限,制得了贵金属掺杂的多孔氧化锡或者氧化铟多孔薄膜,作为一种对高浓度氢气检测的半导体传感器件。该半导体式高浓度氢气传感器能够检测出1%以上浓度的氢气,且重复利用性能好。