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高绝缘性的GaN HEMT射频功率器件.pdf

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本实用新型公开了一种高绝缘性的GaNHEMT射频功率器件,包括依次设置的衬底层(1)、缓冲层(2)、沟道层(3)、阻挡层(4)和保护层(5),在保护层(5)的上方设置源极(6)、栅极(7)和漏极(8),所述源极(6)、栅极(7)和漏极(8)之间填充有绝缘层(9);所述绝缘层(9)包括多列平行分布的竖向隔断绝缘层(901),相邻的竖向隔断绝缘层(901)之间设有底部绝缘层(902)和上部绝缘层(903)。本实用新型具有能够有效提高绝缘性能的特点。