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本发明提供了一种硅基带间级联激光器结构、激光器及其制备方法。该硅基带间级联激光器结构包括:自下而上依次为硅衬底、多层缓冲层以及带间级联超晶格层,其中,多层缓冲层是由硅锗半导体层和III?V族半导体层组成。该硅基带间级联激光器通过Si1?xGex(x=0?1)、AlyGa1?yAs(y=0?1)、AlzGa1?zSb(z=0?1)以及InwGa1?wAs(w=0?1)等多层缓冲层的过渡,解决了III?V族化合物与Si衬底的失配问题,实现了基于InAs的带间级联激光器结构在硅衬底上的直接外延集成,将可大规模应用的硅基外延激光器向更长波长的中红外范围拓展,且避免了传统的键合等异质集成方式工艺复杂,原生衬底昂贵等弊端。