一种硅基带间级联激光器结构、激光器及其制备方法.pdf
书生****35
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一种硅基带间级联激光器结构、激光器及其制备方法.pdf
本发明提供了一种硅基带间级联激光器结构、激光器及其制备方法。该硅基带间级联激光器结构包括:自下而上依次为硅衬底、多层缓冲层以及带间级联超晶格层,其中,多层缓冲层是由硅锗半导体层和III?V族半导体层组成。该硅基带间级联激光器通过Si<base:Sub>1?x</base:Sub>Ge<base:Sub>x</base:Sub>(x=0?1)、Al<base:Sub>y</base:Sub>Ga<base:Sub>1?y</base:Sub>As(y=0?1)、Al<base:Sub>z</base:Sub
一种硅基FP激光器件、集成可调谐激光器及其制备方法.pdf
本发明实施例公开了一种硅基FP激光器件、集成可调谐激光器及其制备方法。在一具体实施方式中,该器件包括硅衬底;形成在衬底上的第一导电类型的第一接触层;形成在第一接触层上的第一电极和耦合腔结构;所述耦合腔结构包括形成在第一接触层上的下波导光限制层和III‑V族量子点有源层,以及形成在量子点有源层上的第一脊型波导和第二脊型波导以及其间的隔离槽,每一脊型波导包括依次形成的上波导光限制层、第二导电类型的第二接触层和第二电极。该实施方式工艺简单,避免了使用传统分布式反馈激光器的布拉格光栅和二次外延技术,可实现较大的激
一种自驱动激光器结构及其制备方法.pdf
本发明提出一种自驱动激光器结构及其制备方法,所述结构包括激光器发光单元和对其供电的直流摩擦纳米发电模块;激光器发光单元的衬底片与直流摩擦纳米发电模块的绝缘层相接,激光器发光单元包括自下而上顺序设置的衬底片、界面层、N型DBR、有源区、氧化限制层、P型DBR、N电极和P电极;直流摩擦纳米发电模块包括自上而下顺序设置的绝缘层、上电极、上摩擦层、下电极;上摩擦层、下电极摩擦产生的电能经引线送至激光器发光单元的N电极、P电极,驱动激光器发光;所述绝缘层用于屏蔽发电模块对发光单元的影响;本发明与现有工艺兼容性好,技
硅基砷化镓外延结构、激光器及制备方法.pdf
本申请实施例涉及一种硅基砷化镓外延结构的制备方法、硅基砷化镓外延结构、激光器的制备方法以及激光器,其中,方法包括:提供硅衬底;在硅衬底上外延生长成核层,成核层的材料包括第一半导体材料;在成核层上外延生长第一过渡层,第一过渡层的材料包括第二半导体材料;第一半导体材料和第二半导体材料均为磷化镓基半导体材料,第一半导体材料的晶格常数介于硅和第二半导体材料之间,第二半导体材料的晶格常数介于第一半导体材料和砷化镓之间;在第一过渡层上外延生长第二过渡层,第二过渡层的材料包括第三半导体材料;在第二过渡层上外延生长砷化镓
半导体激光器结构及其制备方法.pdf
本发明涉及一种半导体激光器结构的制备方法,包括S1,生长一次外延结构;S2,在一次外延结构上二次外延制作光栅;S3,接着在光栅层上生长第一掩膜层,并制作脊波导,脊波导的中间脊宽大于两端脊宽;S4,再利用光刻保护脊波导的两端,腐蚀中间区域至一次外延结构的衬底,形成两个膨大腔室;S5,去掉第一掩膜层,并重新生长第二掩膜层,第二掩膜层覆盖剩下的脊波导和两个膨大腔室的表面;S6,涂BCB或者聚酰亚胺,进行曝光和显影,使BCB仅填充于两个膨大腔室中;S7,重新生长第三掩膜层,使其包裹BCB和脊波导;S8,得到半导体