一种动力电池检测用氢气MEMS传感器及其制备方法.pdf
星菱****23
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相关资料
一种动力电池检测用氢气MEMS传感器及其制备方法.pdf
本发明公开了一种动力电池检测用氢气MEMS传感器及其制备方法,制备方法包括:将四氯化锡、包含氯化钯的掺杂金属盐、去离子水混匀,加入固化剂和分散剂搅拌,升温静置后得到气敏材料浆液;将硅片上的电极利用光刻胶保护,利用狭缝式涂布机将浆液涂覆在硅片表面得到覆膜的硅片;涂覆时,狭缝式涂布机的真空度≤1.33×10<base:Sup>?2</base:Sup>Pa,喷头移动速度为60?70mm/min,每个喷头喷口大小为5μm×1μm至5μm×2μm;涂覆后得到的气敏材料的膜厚为1?3μm;将覆膜后的硅片退火,降至室
一种氢气传感器及其制备方法.pdf
本发明公开了一种氢气传感器及其制备方法,属于传感器技术领域,用于解决目前氢气传感器抗干扰性能弱的技术问题,氢气传感器具体包括硅片衬底,所述硅片衬底上设有薄膜电气隔离层,所述薄膜电气隔离层上设有加热电阻、测温电阻和氢敏电阻,所述加热电阻、测温电阻和氢敏电阻均设置有引线端,所述氢敏电阻的上方设有一层有机聚合物薄膜层。本发明具有性能稳定、寿命长、成本低、抗干扰性能好等优点。
一种氢气传感器及其制备方法.pdf
本申请公开一种氢气传感器及其制备方法,该氢气传感器包括:基底和沿远离基底的方向上依次设置的第一薄膜、传感器组件和第二薄膜;基底朝向第一薄膜的一侧设置有绝热通腔,部分第一薄膜设置在绝热通腔的腔体开口处;传感器组件包括布置于第一薄膜上的第一电阻、第二电阻和环境温度电阻,第一电阻与第二电阻相邻布置;第一电阻与第二电阻设置于绝热通腔的腔体开口范围内;基底上还设置有贯穿基底且穿过绝热通腔的腔体的气体交换通道,气体交换通道设置在远离第一薄膜的一侧,本申请制备的氢气传感器能够检测浓度小于等于0.1%的氢气,且具有响应时
一种基于纳米结构的氢气传感器及其制备方法.pdf
本发明涉及一种基于纳米结构的氢气传感器及其制备方法,所述氢气传感器为检测下限为10ppb的氢气传感器,所述氢气传感器包括基底和位于基底上的PNP型三段结构,所述PNP型三段结构包括氢气敏感膜和位于所述氢气敏感膜的两侧的导电聚合物(PEDOT)电极,所述氢气敏感膜为经过贵金属颗粒修饰的半导体金属氧化物纳米结构,所述半导体金属氧化物纳米结构的直径为50nm‑180nm,所述氢气敏感膜的厚度为1μm‑500μm。氢气传感器具有体积小、成本低、结构简单的特点,响应速度非常快,在180℃的温度下,氢气浓度在200p
一种高浓度氢气传感器及其制备方法和用途.pdf
本发明属于氢气传感器技术领域,特别是一种适用于测试高于1%的氢气传感器。本发明针对目前基于半导体式气敏传感器在高能浓度氢气传感方面较为困难,考虑到钯、金、铂等贵金属对氢气具有选择性吸附且对氢气有催化溢流的效应,降低反应的活化能,利用贵金属与半导体的协同作用从而可以提高氢气检测上限,制得了贵金属掺杂的多孔氧化锡或者氧化铟多孔薄膜,作为一种对高浓度氢气检测的半导体传感器件。该半导体式高浓度氢气传感器能够检测出1%以上浓度的氢气,且重复利用性能好。