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SOI晶圆的制造方法.pdf

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本发明是一种SOI晶圆的制造方法,其具有通过湿蚀刻进行SOI晶圆的SOI层的膜厚调整的工序,其特征在于,在进行SOI层的膜厚调整的工序中,组合以下两个步骤来进行:第1蚀刻步骤,使用SC1溶液进行SOI层的表面的蚀刻;以及第2蚀刻步骤,通过使所述SOI层接触臭氧水而在SOI层的表面形成氧化膜,再使所形成的氧化膜接触含HF水溶液以去除氧化膜,而进行SOI层的表面的蚀刻,以第1蚀刻步骤中的SOI层的加工余量比第2蚀刻步骤中的SOI层的加工余量少的方式,进行第1蚀刻步骤及第2蚀刻步骤的蚀刻。由此,能够提供一种SOI晶圆的制造方法,其在SOI膜厚调整中,能够兼顾控制蚀刻加工余量和实现SOI膜厚的优异的面内均匀性。