单晶结构分析讲座.ppt
X射线单晶结构分析前言晶体对称性晶体结构测定方法结构分析应用程序简介1.前言测晶胞参数收强度数据2.晶体对称性2.晶体对称性2.晶体对称性2.晶体对称性2.晶体对称性2.晶体对称性2.晶体对称性2.晶体对称性2.晶体对称性2.晶体对称性2.晶体对称性2.晶体对称性2.晶体对称性2.晶体对称性2.晶体对称性2.晶体对称性2.晶体对称性3.晶体结构测定方法3.晶体结构测定方法3.晶体结构测定方法3.晶体结构测定方法R衍射像包括衍射强度和衍射位相。如果两者都知道，用计算机计算F变换是很容易的事情。不幸的是，用
2024-11-26
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半导体镀膜工艺.ppt
镀膜工艺基本概念真空1.真空的定义真空的含义是指在给定的空间内低于一个大气压力的气体状态，是一种物理现象。2.真空的计量单位3.真空区域的划分4.如何产生真空5.使用真空的目的等离子体1.什么是等离子体在一定条件下气体电离出的自由电子总的负电量与正离子总的正电量相等．这种高度电离的、宏观上呈中性的气体叫等离子体。电离产生的等离子体往往包含离子、电子、激发状态的原子、分子、分子分解而成的活性基、各种分子簇……这些粒子在等离子体中相互碰撞。等离子为物质的第四种形态（气体，液体，固体）2.常见的等离子体日常生活
2024-11-26
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半导体的高温掺杂.ppt
第四章半导体的高温掺杂掺杂（doping）：将一定数量和一定种类的杂质掺入硅中，并获得精确的杂质分布形状（dopingprofile）。掺杂过程4.1扩散现象扩散模型1.热扩散法掺杂氧化扩散炉扩散炉中的硅片热扩散步骤预淀积（预扩散）推进（主扩散）激活二维扩散（横向扩散）Xj(a)间隙式扩散(interstitial)替位式扩散：杂质离子占据硅原子的位置1.恒定表面源扩散：恒定源扩散过程实际是预淀积过程2.有限源扩散：有限表面源扩散实际上是杂质的再分布（驱入）18扩散过程中，硅片表面杂质浓度始终不变这种类型
2024-11-26
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半导体物理学刘恩科通用.ppt
半导体物理学半导体物理学课程考核办法:本课采用开卷笔试的考核办法。第九周安排一次期中考试。总评成绩构成比例为：平时成绩10%；期中考试45%；期末考试45%微电子学研究领域固体材料分成：超导体、导体、半导体、绝缘体半导体的纯度和结构晶体结构晶体结构金刚石晶体结构半导体有:元素半导体如Si、Ge半导体有:化合物半导体如GaAs、InP、ZnS练习原子的能级+14原子的能级的分裂原子的能级的分裂Si的能带（价带、导带和带隙〕价带：0K条件下被电子填充的能量的能带导带：0K条件下未被电子填充的能量的能带带隙：导
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半导体物理学(第七版)电子工业出版社刘恩科等编着.ppt
半导体物理学半导体物理学课程考核办法:本课采用开卷笔试的考核办法。第九周安排一次期中考试。总评成绩构成比例为：平时成绩10%；期中考试45%；期末考试45%微电子学研究领域固体材料分成：超导体、导体、半导体、绝缘体半导体的纯度和结构晶体结构晶体结构金刚石晶体结构半导体有:元素半导体如Si、Ge半导体有:化合物半导体如GaAs、InP、ZnS练习原子的能级+14原子的能级的分裂原子的能级的分裂Si的能带（价带、导带和带隙〕价带：0K条件下被电子填充的能量的能带导带：0K条件下未被电子填充的能量的能带带隙：导
2024-11-26
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半导体物理学(第七版).ppt
半导体物理学任课老师：刘城芳办公地点：教五-101电子邮箱：iamcfliu@njupt.edu.cn半导体物理学课程考核办法:本课程采用闭卷考试方式。总评成绩由平时成绩和期末成绩组成。平时成绩占总评的30%，期末成绩占总评的70%。平时成绩从作业、上课出勤率等方面进行考核。半导体物理课程是电子科学与技术学科的核心专业基础课程。半导体物理知识是一把开启电子材料与器件、光电子材料与器件的钥匙。半导体物理课程也是一门有趣的课程，它可以像魔术师般把电、热、声、光、磁、力等物理现象有机联系在一起。半导体的发展史半
2024-11-26
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半导体物理学(pn结).ppt
半导体物理SEMICONDUCTORPHYSICS第六章p-n结§6.1p-n结及其其能带图6.1pn结及其能带图图6-2图6-4PN结的形成在半导体基片上分别制造N型和P型两种半导体。经过载流子的扩散运动和漂移运动,两运动最终达到平衡，由离子薄层形成的空间电荷区称为PN结。1．PN结的形成①扩散运动——P型和N型半导体结合在一起时，由于交界面（接触界）两侧多子和少子的浓度有很大差别，N区的电子必然向P区运动，P区的空穴也向N区运动，这种由于浓度差而引起的运动称为扩散运动。②漂移运动——在扩散运动同时，P
2024-11-26
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半导体材料的基本性质.ppt
第1章半导体材料的基本性质1.1半导体与基本晶体结构1.1.1半导体1.杂质敏感性2.负温度系数3.光敏性4.电场、磁场效应晶体结构是指原子在三维空间中周期性排列着的单晶体。晶胞：单晶体结构可以用任意一个最基本的单元所代表，称这个最基本的单元叫晶胞。晶格：单晶体是由晶胞在三维空间周期性重复排列而成，整个晶体就像网格一样，称为晶格。格点与点阵，组成晶体的原子重心所在的位置称为格点，格点的总体称点阵。3种常见的立方晶体的晶胞a）简单立方b）体心立方c）面心立方金刚石结构的晶胞与平面示意图a）金刚石型结构的晶胞
2024-11-26
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半导体材料晶体生长.ppt
半导体材料第三章晶体生长晶体生长理论基础天然晶体的生长2.由液相转变为固相：1.从熔体中结晶,即熔体过冷却时发生结晶现象，出现晶体；2.从溶液中结晶,即溶液达到过饱和时，析出晶体；3.水分蒸发，如天然盐湖卤水蒸发，盐类矿物结晶出来；通过化学反应生成难溶物质。3．由固相变为固相：3．由固相变为固相：晶体形成的热力学条件晶体形成的热力学条件晶体形成的热力学条件概括来说，气－固相变过程时，要析出晶体，要求有一定的过饱和蒸气压。液－固相变过程时，要析出晶体，要求有一定的过饱和度。固－固相变过程时，要析出晶体，要求
2024-11-26
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半导体材料与工艺之晶体生长原理资料.ppt
12(2)液相生长:伴随在液-固相变过程中的结晶过程，包括从溶液中生长晶体(通常是薄层)的液相外延过程和从熔体中生长晶体的正常凝固过程和区域熔炼过程。例如。GaAs衬底上的GaAlAs液相外延和用直拉法生长硅单晶等。(3)气相生长:伴随在气-固相变过程中的结晶过程，包括晶体薄膜的气相外延生长过程和利用升华法生长难熔晶体的过程。例如，SiH4生长硅薄膜的外延过程和碳化硅块状晶体的生长过程等。45678液相生长(从熔体中生长)液相生长(从熔体中生长)液相生长(从熔体中生长)气相生长气相生长气相生长从溶液中生长
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