半桥LLC谐振变换器设计与仿真.ppt
半桥LLC谐振变换器设计与仿真1谐振变换器技术1.1SRC（串联谐振电路）SRC的直流特性曲线1.2PRC（并联谐振电路）PRC的直流特性曲线1.3SPRC（串并联谐振电路）对于LCC电路，存在两个谐振频率：显然，fr2<fr1。由直流特性曲线可知：①当fr2<fs<fr1时，MOSFET工作在ZCS区域，对于MOSFET而言，ZVS模式下开关损耗较ZCS模式要小；②为了满足ZVS，fs>fr1，这样低频谐振点没有利用。从这个方案可以看出，可以利用双谐振网络来实现ZVS，如果将LCC的直流特性左右翻转，那
2024-11-26
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半导体雷射模拟软体Lastip简介.ppt
半導體雷射模擬軟體Lastip簡介大綱背景-原廠背景-PICS3D背景-APSYS背景-副程式(Options)背景-副程式(Options)背景-可以模擬的半導體元件[1]內建參數-.mac檔主結構-四個步驟[2]步驟1-建立layer原始四個檔案*.layer~1*.layer~2*.gain*.sol參數-整合光電熱光電熱I-V圖I-V圖~2參數表參數-對應方程式[3]參數-泊松方程式[4]參數-泊松方程式參數-電荷連續方程式參數-電荷連續方程式參數-光子速率方程式參數-光子速率方程式參數-光增益模
2024-11-26
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半导体简易原理.pptx
半导体简易原理什么是半导体按固体的导电能力区分，可以区分为导体、半导体和绝缘体表1.1导体、半导体和绝缘体的电阻率范围半导体具有一些重要特性，主要包括：温度升高使半导体导电能力增强，电阻率下降如室温附近的纯硅(Si)，温度每增加8℃，电阻率相应地降低50%左右微量杂质含量可以显著改变半导体的导电能力以纯硅中每100万个硅原子掺进一个Ⅴ族杂质（比如磷）为例，这时硅的纯度仍高达99.9999%，但电阻率在室温下却由大约214,000Ωcm降至0.2Ωcm以下适当波长的光照可以改变半导体的导电能力如在绝缘衬底上
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半导体磁效应.pptx
半导体磁效应霍尔效应磁阻效应磁光效应量子霍尔效应热磁效应光磁电效应一种载流子的霍尔效应载流子在电磁场中的运动两种载流子的霍尔效应霍尔效应的应用1879年，霍尔(E.H.Hall)在研究通有电流的导体在磁场中受力的情况时，发现在垂直于磁场和电流的方向上产生了电动势，这个电磁效应称为“霍尔效应”1980年，德国物理学家冯·克利青发现整数量子霍尔效应。他因此获得1985年诺贝尔物理学奖。1982年，崔琦、施特默和赫萨德(A.C.Gossard)发现了分数量子霍尔效应，前两者因此与劳赫林(RobertBettsL
2024-11-26
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半导体的能带结构解读.ppt
7、半导体的能带结构或在讨论本征吸收时，光子的动量可以略去，因为本征吸收光子的波矢为10４cm-1，而在能带论中布里渊区的尺度为2π/晶格常数，数量级是10８cm-1，因此本征光吸收中，因此光吸收的跃迁选择定则可以近似写成但是声子能量是较小的，数量级为百分之几电子伏以下，因此近似的有电子能量差＝光子能量在实际的半导体材料中,总是不可避免地存在有杂质和各种类型的缺陷.特别是在半导体的研究和应用中,常常有意识的加入适当的杂质.这些杂质和缺陷产生的附加势场,有可能使电子和空穴束缚在杂质和缺陷的周围,产生局域化的
2024-11-26
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半导体的光学常数和光吸收.ppt
半导体的光学常数和光吸收⑵吸收系数：光在介质中传播时有衰减，说明介质对光有吸收。用透射法测定光在介质中传播的衰减情况时，发现介质中光的衰减率与光的强度成正比，引入比例系数，即：⑶反射系数R：反射系数R是界面反射能流密度和入射能流密度之比，若以和分别代表入射波和反射波电矢量振幅，则有：⑷透射系数T：透射系数T为透射能流密度和入射能流密度之比，由于能量守恒，在界面上可以得到：T=1-R当光透过厚度为d，吸收系数为的介质时有：二、半导体的光吸收光在导电介质中传播时具有衰减现象，即产生光的吸收，半导体材料通
2024-11-26
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半导体电磁学.ppt
本节讲授该式称为均匀电路的欧姆定律。二.电阻定律电导的单位叫西门子（S）,式中当温度发生变化时，导体的电阻率也要改变。实验表明，在通常情况下大多数金属导体的电阻率半导体材料有以下特点：当温度降到某一特定热力学温度Tc时，某些金属、合金以及金属化合物的电阻率会几乎减小到零，这种现象叫超导现象。能产生超导电现象的材料叫超导体，超导体处于电阻率为零的状态叫超导态。Tc叫做转变温度。费利(File)等人用核磁共振方法测量超导电流产生的磁场来研究螺线管内超导电流的衰减，他们得到的结论是超导电流的衰减时间不短于10
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半导体激光器分析.ppt
2024-11-26
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半导体材料88小型太阳电池独立发电系统.ppt
小型太阳电池独立发电系统设计研究主要内容1.太阳能电池发展历史、分类及工作原理世界太阳能电池发展的主要节点1954美国贝尔实验室发明单晶硅太阳能电池，效率为6％1955第一个光伏航标问世，美国RCA发明GaAs太阳能电池1958太阳能电池首次装备于美国先锋1号卫星，转换效率为8％。1959第一个单晶硅太阳能电池问世。1960太阳能电池首次实现并网运行。1974突破反射绒面技术，硅太阳能电池效率达到18％。1975非晶硅及带硅太阳能电池问世1978美国建成100KW光伏电站1980单晶硅太阳能电池效率达到2
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半导体晶体结构.ppt
12345678910111213141516171819202122232425262728正交晶系一些重要晶向的晶列指数3031321.1.3晶列指数和晶面指数3435363738394041424344454647484950515253545556原子脱离格点后，同时形成空格点和间隙原子，空格点等于间隙原子数。58596061626364656667物理与光电工程学院69707172737475组成合金的各元素在液态下互溶后，再固态下彼此不发生任何作用(晶粒共混)。7778798081828384
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