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光电器件和用于制造光电器件的方法.pdf
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光电器件和用于制造光电器件的方法.pdf
光电器件(1)包括光电半导体芯片(2)、光学元件(3)和芯片载体(5)。半导体芯片(2)布置在所述芯片载体(5)上。光学元件(3)在所述半导体芯片(2)的辐射方向(7)上布置在所述半导体芯片(2)下游并且借助于粘合层(6)被紧固在光学载体(12)处。浇铸件(4)围绕所述光学元件(3)、所述光学载体(12)和所述粘合层(6)构成从所述光学元件(3)蔓延到所述光学载体(12)上的框架。浇铸件(4)相对于所述半导体芯片(2)将所述光学元件(3)固定在其位置中。
2024-01-08
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光电器件和制造光电器件的方法.pdf
提出了一种光电器件，其包括光电元件(10)，该光电元件(10)被用于对水分从环境向光电元件的传输进行抑制的屏障结构(20)包围。该屏障结构包括一堆层，所述一堆层包括至少一个无机层(22)和布置在该无机层和该光电元件之间的一层中的水分吸气材料。所述一堆包括横向扩散层(26)，其中，吸气材料存在于布置在光电元件(10)和横向扩散层(26)之间的单独的吸气层(24)中，和/或吸气材料存在于横向扩散层(26)中。
2024-01-11
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光电子器件和用于制造光电子器件的方法.pdf
本发明涉及一种光电子器件(100),其包括载体(8)和多个能够被单独地并且独立地驱动的光电子的半导体芯片(1)。每个半导体芯片包括半导体层序列(2),所述半导体层序列具有n型掺杂层(20)、p型掺杂层(21)、用于产生的辐射的有源区(22)和侧表面(25),所述侧表面横向于有源区地延伸并且沿横向方向界定半导体层序列。半导体芯片在半导体层序列的相应的侧表面上分别具有电绝缘的钝化层(4)。至少一些半导体芯片配属于第一组(11)。第一组的半导体芯片配置有共同的边缘场产生装置(5),所述边缘场产生装置在第一组的每
2023-06-06
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光电子器件和用于制造光电子器件的方法.pdf
提出一种光电子器件(1)，其包括：半导体本体(10)，第一传导类型的第一区域(101)、第二传导类型的第二区域(102)和有源区(103)。有源区(103)设置在第一区域(101)和第二区域(102)之间。在半导体本体(10)的第一区域(101)中存在留空部(160)，具有与留空部(160)邻接的接触区域(170)。有源区(103)设计用于发射电磁辐射。半导体本体(10)在第二区域(102)的背离于有源区(103)的主面上具有第一辐射出射面(10A)，和在运行中产生的电磁辐射的一部分穿过所述第一辐射出射面
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用于制造光电子半导体器件的方法和光电子半导体器件.pdf
说明了一种用于制造光电子半导体器件(1)的方法,具有以下步骤:A)提供布置在载体(50)上的多个半导体芯片(10),B)在所述半导体芯片(10)的背离所述载体(50)的侧上布置辅助载体(60),C)去除所述载体(50),D)将所述半导体芯片(10)之间的所述辅助载体(60)分离成辅助载体芯片单元(2),每个辅助载体芯片单元具有至少一个半导体芯片(10)和与所述半导体芯片邻接的辅助载体部分(61),E)将所述辅助载体芯片单元(2)分别布置在连接载体(30)上,以及F)从每个辅助载体芯片单元(2)去除各自的辅
2023-05-24
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