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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107357144A(43)申请公布日2017.11.17(21)申请号201710007493.5(22)申请日2017.01.05(30)优先权数据2016-0946452016.05.10JP(71)申请人富士施乐株式会社地址日本东京都(72)发明人桥本考平中村博史(74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限公司11127代理人庞东成解延雷(51)Int.Cl.G03G5/043(2006.01)G03G5/06(2006.01)G03G15/16(2006.01)权利要求书2页说明书38页附图4页(54)发明名称图像形成设备和图像形成方法(57)摘要本发明涉及图像形成设备和图像形成方法。本发明的图像形成设备包括:电子照相感光体,其包括导电性基材、设置在导电性基材上、含有粘合剂树脂和金属氧化物颗粒且单位面积的静电电容为10pF/cm2至100pF/cm2的底涂层,和设置在底涂层上的感光层;静电潜像形成单元,其在电子照相感光体的经充电表面上形成静电潜像;显影单元,其储存包含色调剂的显影剂,并通过使用显影剂使电子照相感光体表面上形成的静电潜像显影形成色调剂图像,所述色调剂包含体积平均粒径为3.0μm至5.5μm的色调剂颗粒。CN107357144ACN107357144A权利要求书1/2页1.一种图像形成设备,其包括:电子照相感光体,所述电子照相感光体包括导电性基材、设置在所述导电性基材上的底涂层和设置在所述底涂层上的感光层,所述底涂层含有粘合剂树脂和金属氧化物颗粒且单位面积的静电电容为10pF/cm2至100pF/cm2;充电单元,所述充电单元对所述电子照相感光体的表面充电;静电潜像形成单元,所述静电潜像形成单元在所述电子照相感光体的经充电表面上形成静电潜像;显影单元,所述显影单元储存包含色调剂的显影剂,并通过使用所述显影剂使所述电子照相感光体表面上形成的所述静电潜像显影,以形成色调剂图像,所述色调剂包含体积平均粒径为3.0μm至5.5μm的色调剂颗粒;和转印单元,所述转印单元将所述电子照相感光体表面上形成的所述色调剂图像转印至记录介质表面上。2.如权利要求1所述的图像形成设备,其中,所述底涂层具有10pF/cm2至30pF/cm2的静电电容。3.如权利要求1所述的图像形成设备,其中,所述底涂层具有15pF/cm2至25pF/cm2的静电电容。4.如权利要求1所述的图像形成设备,其中,在所述转印单元中用于转印所述电子照相感光体表面上形成的所述色调剂图像的转印电流值为20μA至100μA。5.如权利要求4所述的图像形成设备,其中,所述转印电流值为30μA至80μA。6.如权利要求1所述的图像形成设备,其中,所述金属氧化物颗粒包括选自由氧化锡颗粒、氧化钛颗粒和氧化锌颗粒组成的组中的至少一种。7.如权利要求1所述的图像形成设备,其中,所述金属氧化物颗粒的体积平均一次粒径为30nm至100nm。8.如权利要求1所述的图像形成设备,其中,所述金属氧化物颗粒用至少一种偶联剂处理。9.如权利要求7所述的图像形成设备,其中,所述偶联剂包括选自硅烷偶联剂、钛酸酯偶联剂和铝偶联剂中的至少一种。10.如权利要求1所述的图像形成设备,其中,所述底涂层还含有电子接受性化合物。11.如权利要求10所述的图像形成设备,其中,所述电子接受性化合物是具有蒽醌骨架的电子接受性化合物。12.如权利要求11所述的图像形成设备,其中,所述具有蒽醌骨架的电子接受性化合物是由下式(1)所示的化合物:2CN107357144A权利要求书2/2页其中,n1和n2各自独立地表示0至3的整数,条件是n1和n2中的至少一个表示1至3的整数;m1和m2各自独立地表示0或1的整数;R11和R12各自独立地表示具有1至10个碳原子的烷基或具有1至10个碳原子的烷氧基。13.如权利要求1所述的图像形成设备,其中,所述底涂层的厚度为15μm至30μm。14.如权利要求1所述的图像形成设备,其中,所述底涂层的厚度为20μm至25μm。15.一种图像形成方法,其包括:对电子照相感光体的表面充电,所述电子照相感光体包括导电性基材、设置在所述导电性基材上的底涂层和设置在所述底涂层上的感光层,所述底涂层含有粘合剂树脂和金属氧化物颗粒且单位面积的静电电容为10pF/cm2至100pF/cm2;在所述电子照相感光体的经充电表面上形成静电潜像;通过使用包含色调剂的显影剂使所述电子照相感光体表面上形成的所述静电潜像显影,所述色调剂包含体积平均粒径为3.0μm至5.5μm的色调剂颗粒;和将所述色调剂图像转印至记录介质的表面上。3CN107357144A说明书1/38页图像形成设备和图像形成方法技术领域[0001]本发明涉及图像形成