一种晶圆清洗方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108666205A(43)申请公布日2018.10.16(21)申请号201810464148.9(22)申请日2018.05.15(71)申请人武汉新芯集成电路制造有限公司地址430205湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号(72)发明人邱伟良(74)专利代理机构上海申新律师事务所31272代理人俞涤炯(51)Int.Cl.H01L21/02(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图2页(54)发明名称一种晶圆清洗方法(57)摘要本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种晶圆清洗方法，应用于表面形成有金属互联层以及光阻层的一晶圆；包括：步骤S1，采用一第一清洗液清洗晶圆的表面；步骤S2，采用一光阻剥离液去除晶圆上的光阻层；步骤S3，采用一第二清洗液清洗晶圆的表面；步骤S4，采用一干燥工艺将晶圆的表面干燥；其中，步骤S2中，光阻剥离液为ST250；能够保证去除晶圆表面的光阻层的同时不会产生杂质元素的残留，从而保证了后段制程的可靠，保证了晶圆产品的良率。CN108666205ACN108666205A权利要求书1/1页1.一种晶圆清洗方法，应用于表面形成有金属互联层以及光阻层的一晶圆；其特征在于，包括：步骤S1，采用一第一清洗液清洗所述晶圆的表面；步骤S2，采用一光阻剥离液去除所述晶圆上的所述光阻层；步骤S3，采用一第二清洗液清洗所述晶圆的表面；步骤S4，采用一干燥工艺将所述晶圆的表面干燥；其中，所述步骤S2中，所述光阻剥离液为ST250。2.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述步骤S1中，采用所述第一清洗液清洗的时间为5～25s。3.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述步骤S2和S3之间还包括：中间步骤，采用一单片晶圆清洗机台将所述晶圆甩干。4.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述步骤S1中，采用等离子水形成所述第一清洗液。5.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述步骤S2中，采用铵盐、有机酸和水形成所述ST250。6.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述步骤S3中，采用等离子水形成所述第二清洗液。7.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述步骤S4中，采用惰性气体进行所述干燥工艺。8.根据权利要求7所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述惰性气体为氮气。9.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述光阻层形成于所述金属互联层的上表面。2CN108666205A说明书1/3页一种晶圆清洗方法技术领域[0001]本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种晶圆清洗方法。背景技术[0002]闪存是一种长寿命的非易失性的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位，区块大小一般为256KB到20MB。闪存是电子可擦除只读存储器的变种，大部分芯片需要块擦除。[0003]闪存产品的后段制程中，形成金属互联层时需要形成用于进行光刻的光阻层，完成以后一般需要将晶圆表面的光阻层去除。现有技术中往往采用特定的光阻剥离液去除光阻层，举例来说，可以采用ST250的光阻剥离液去除光阻层，在特定的剂量下，可以通过定期更换光阻剥离液实现大批量的晶圆处理。[0004]然而，仅仅采用特定的光阻剥离液去除光阻层很容易在晶圆表面形成杂质或残留，容易在后续的制程中形成晶圆剥离等缺陷，严重地影响晶圆产品的良率。发明内容[0005]针对上述问题，本发明提出了一种晶圆清洗方法，应用于表面形成有金属互联层以及光阻层的一晶圆；其中，包括：[0006]步骤S1，采用一第一清洗液清洗所述晶圆的表面；[0007]步骤S2，采用一光阻剥离液去除所述晶圆上的所述光阻层；[0008]步骤S3，采用一第二清洗液清洗所述晶圆的表面；[0009]步骤S4，采用一干燥工艺将所述晶圆的表面干燥；[0010]其中，所述步骤S2中，所述光阻剥离液为ST250。[0011]上述的晶圆清洗方法，其中，所述步骤S1中，采用所述第一清洗液清洗的时间为5～25s。[0012]上述的晶圆清洗方法，其中，所述步骤S2和S3之间还包括：[0013]中间步骤，采用一单片晶圆清洗机台将所述晶圆甩干。[0014]上述的晶圆清洗方法，其中，所述步骤S1中，采用等离子水形成所述第一清洗液。[0015]上述的晶圆清洗方法，其中，所述步骤S2中，采用铵盐、有机酸和水形成所述光阻剥离液。[0016]上述的晶圆清洗方法，其中，所述步骤S3中，采用等离子水形成所述第二清洗液。[0017]上述的晶圆清洗方法，其中，所述步骤S4中，采用惰性气体进行所述干燥工艺。[0018]上述的晶圆清洗方法，其中，所述惰性气体为氮气。[0019]上述的晶圆清洗方法，其中，所述光阻层形成