一种晶圆清洗方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110620036A(43)申请公布日2019.12.27(21)申请号201911008434.5(22)申请日2019.10.22(71)申请人武汉新芯集成电路制造有限公司地址430205湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号(72)发明人杨一凡高志强(74)专利代理机构上海申新律师事务所31272代理人沈栋栋(51)Int.Cl.H01L21/02(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图3页(54)发明名称一种晶圆清洗方法(57)摘要本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆清洗方法，包括：步骤S1，对晶圆执行一第一清洗工艺；步骤S2，对晶圆执行一第一干燥工艺；步骤S3，对晶圆执行一等离子体工艺；步骤S4，对晶圆执行一第二清洗工艺和一第二干燥工艺。本发明技术方案的有益效果在于：在传统的晶圆清洗步骤中加入等离子体工艺，利用等离子体对晶圆表面进行处理以提升颗粒物表面的活性，有助于后续的第二清洗工艺中更好地去除晶圆表面残留的研磨颗粒。CN110620036ACN110620036A权利要求书1/1页1.一种晶圆清洗方法，其特征在于，包括：步骤S1，对所述晶圆执行一第一清洗工艺；步骤S2，对所述晶圆执行一第一干燥工艺；步骤S3，对所述晶圆执行一等离子体工艺；步骤S4，对所述晶圆执行一第二清洗工艺和一第二干燥工艺。2.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述等离子工艺的射频功率为30～300W。3.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述等离子体工艺中的工艺气体为氮气、惰性气体或氧气。4.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述步骤S2具体包括：步骤S21，将所述晶圆传送至一第一烘干装置上；步骤S22，采用一第一干燥气体对所述晶圆进行干燥。5.根据权利要求4所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述第一干燥气体包括异丙醇蒸气和/或氮气。6.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述步骤S4具体包括：步骤S41，将所述晶圆传送至一第二烘干装置上；步骤S42，使所述第二烘干装置旋转，以带动所述晶圆旋转；步骤S43，对所述晶圆的表面喷淋一化学清洗液；步骤S44，采用一第二干燥气体对所述晶圆进行干燥。7.根据权利要求6所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述第二干燥气体包括异丙醇蒸气和/或氮气。8.根据权利要求6所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述步骤S4还包括：在执行所述步骤S42之前，在所述晶圆的上方设置一清洗件，且所述清洗件的清洁部接触所述晶圆的表面，以使所述清洗件在所述晶圆的旋转过程中，对所述晶圆的表面进行擦洗。9.根据权利要求4所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述第一烘干装置为提拉式烘干装置。10.根据权利要求6所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述第二烘干装置为旋转式烘干装置。2CN110620036A说明书1/3页一种晶圆清洗方法技术领域[0001]本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆清洗方法。背景技术[0002]在晶圆完成化学机械研磨(ChemicalMechanicalPolishing，以下简称CMP)工艺后需要进行清洗工艺，以去除残留的研磨液和研磨颗粒物等。在进行传统的Cu-CMP(铜工艺化学机械研磨)清洗过程后，仍然会存在一些比较小的研磨颗粒不能去除，而这些研磨颗粒残留可能会对晶圆键合工艺造成影响。尤其是在Cu(铜)键合的工艺中，对颗粒的要求比较高。因此，现需一种新型的晶圆清洗方法，提高晶圆的清洗效果，以满足晶圆键合工艺的要求。发明内容[0003]针对现有技术中存在的上述问题，现提供一种晶圆清洗方法。[0004]具体技术方案如下：[0005]本发明包括一种晶圆清洗方法，包括：[0006]步骤S1，对所述晶圆执行一第一清洗工艺；[0007]步骤S2，对所述晶圆执行一第一干燥工艺；[0008]步骤S3，对所述晶圆执行一等离子体工艺；[0009]步骤S4，对所述晶圆执行一第二清洗工艺和一第二干燥工艺。[0010]优选的，于所述等离子体工艺中，等离子体的能量为30～300W。[0011]优选的，所述等离子体工艺中的工艺气体为氮气、惰性气体或氧气。[0012]优选的，所述步骤S2具体包括：[0013]步骤S21，将所述晶圆传送至一第一烘干装置上；[0014]步骤S22，采用一第一干燥气体对所述晶圆进行干燥。[0015]优选的，所述第一干燥气体包括异丙醇蒸气和/或氮气。[0016]优选的，所述步骤S4具体包括：[0017]步骤S41，将所述晶圆传送至一第二烘干装置上；[0018]步骤S42，使所述第二烘干装置旋转，以带动所述晶圆旋转；[0019]步骤S43，对所述晶圆的表面喷淋一化学清洗液；[0020]步骤