除电方法和基片处理装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111863691A(43)申请公布日2020.10.30(21)申请号202010299562.6(22)申请日2020.04.16(30)优先权数据2019-0864072019.04.26JP(71)申请人东京毅力科创株式会社地址日本东京都(72)发明人荒金俊行纲本哲大﨑良规佐藤雅纪(74)专利代理机构北京尚诚知识产权代理有限公司11322代理人龙淳徐飞跃(51)Int.Cl.H01L21/683(2006.01)权利要求书2页说明书12页附图11页(54)发明名称除电方法和基片处理装置(57)摘要本发明提供一种除电方法和基片处理装置。除电方法包括：在静电吸盘上载置有基片的状态下向处理容器内导入气体的步骤；一边对所述静电吸盘的吸附电极施加直流电压一边增大该直流电压的绝对值，直至开始基于所述气体的放电的步骤；在基于所述气体的放电开始后，施加使所述基片的电荷量达到成为0或者接近0的电荷中和区域的所述直流电压的绝对值的步骤；和施加所述直流电压的绝对值直至达到所述电荷中和区域之后，使所述基片从所述静电吸盘脱离的步骤。本发明能够对基片的残留吸附进行充分的除电。CN111863691ACN111863691A权利要求书1/2页1.一种除电方法，其特征在于，具有：步骤(a)，在静电吸盘上载置有基片的情况下向处理容器内导入气体；步骤(b)，一边对所述静电吸盘的吸附电极施加直流电压一边增大该直流电压的绝对值，直至开始基于所述气体的放电；步骤(c)，在基于所述气体的放电开始之后，施加使所述基片的电荷量达到成为0或者接近0的电荷中和区域的所述直流电压的绝对值；和步骤(d)，施加所述直流电压的绝对值直至达到所述电荷中和区域之后，使所述基片从所述静电吸盘脱离。2.如权利要求1所述的除电方法，其特征在于，还具有：步骤(e)，计算所述基片的残留电荷量；和步骤(f)，基于计算出的所述残留电荷量，计算使所述基片的电荷量达到所述电荷中和区域的所述直流电压的绝对值，在步骤(c)中，施加步骤(f)中计算出的所述直流电压的绝对值。3.如权利要求2所述的除电方法，其特征在于：在计算出的所述基片的残留电荷量为负的情况下，将所述直流电压向正的方向控制，在计算出的所述基片的残留电荷量为正的情况下，将所述直流电压向负的方向控制。4.如权利要求1～3中任一项所述的除电方法，其特征在于，还具有：步骤(g)，在处理完所述基片之后要使所述基片脱离时，测量推升所述基片的升降销的力矩；和步骤(h)，基于测量出的所述升降销的力矩，判断是否执行所述除电方法。5.如权利要求2所述的除电方法，其特征在于：在步骤(e)中，通过使推升所述基片用的升降销在上下方向上移动来使所述基片振动，并基于此时在所述吸附电极中流动的感应电流来计算所述残留电荷量。6.如权利要求1所述的除电方法，其特征在于：在步骤(c)中，监视所述基片的电荷量，并根据所述直流电压的控制方向与监视值的关系来施加所述直流电压的绝对值，以使得所述基片的电荷量达到成为0或者接近0的电荷中和区域。7.如权利要求1～6中任一项所述的除电方法，其特征在于：所述气体是非活性气体。8.如权利要求1～7中任一项所述的除电方法，其特征在于：在步骤(a)中，导入所述气体以使得所述处理容器内的压力成为在200～800mTorr的范围内预先设定的值。9.一种基片处理方法，其特征在于，包括：将所述基片载置在所述静电吸盘上的步骤；对所述吸附电极施加直流电压，以将所述基片吸附于所述静电吸盘的步骤；处理所述基片的步骤；停止施加所述直流电压以解除所述静电吸盘对所述基片的吸附的步骤；和执行权利要求1～8中任一项所述的除电方法的步骤。10.一种基片处理装置，其特征在于，具有：2CN111863691A权利要求书2/2页处理容器；配置于所述处理容器内的静电吸盘；和控制所述处理容器内的基片的处理的控制部，所述控制部执行包含如下步骤的处理，即：步骤(a)，在静电吸盘上载置有基片的情况下向处理容器内导入气体；步骤(b)，一边对所述静电吸盘的吸附电极施加直流电压一边增大该直流电压的绝对值，直至开始基于所述气体的放电；步骤(c)，在基于所述气体的放电开始之后，施加使所述基片的电荷量达到成为0或者接近0的电荷中和区域的所述直流电压的绝对值；和步骤(d)，施加所述直流电压的绝对值直至达到所述电荷中和区域之后，使所述基片从所述静电吸盘脱离。11.如权利要求10所述的基片处理装置，其特征在于：所述控制部还执行包含如下步骤的处理，即：步骤(e)，计算所述基片的残留电荷量；和步骤(f)，基于计算出的所述残留电荷量，计算使所述基片的电荷量达到所述电荷中和区域的所述直流电压的绝对值，在步骤(c)中，施加步骤(f)中计算出的