晶圆背面金属化的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113972132A(43)申请公布日2022.01.25(21)申请号202111245958.3(22)申请日2021.10.25(71)申请人海光信息技术股份有限公司地址300384天津市滨海新区华苑产业区海泰西路18号北2-204工业孵化-3-8(72)发明人陈伯昌(74)专利代理机构北京兰亭信通知识产权代理有限公司11667代理人赵永刚(51)Int.Cl.H01L21/02(2006.01)H01L21/027(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图5页(54)发明名称晶圆背面金属化的方法(57)摘要本发明提供一种晶圆背面金属化的方法，该方法包括：提供晶圆；在晶圆的背面涂布光刻胶，形成光刻层；对所述光刻层进行曝光处理，以确定晶圆背面需要金属化处理的曝光区域；对光刻层进行显影，以去除所述曝光区域中的光刻胶，保留的光刻胶的截面宽度沿朝向晶圆的方向逐渐减小；沉积金属材料，形成初始金属层，相邻的光刻胶之间的初始金属层的宽度与所述相邻的光刻胶之间的最小宽度适配；去除光刻胶，形成图案化的金属层。本发明能够提高晶圆背金工艺以及后续封装的良率。CN113972132ACN113972132A权利要求书1/1页1.一种晶圆背面金属化的方法，其特征在于，包括：提供晶圆；在晶圆的背面涂布光刻胶，形成光刻层；对所述光刻层进行曝光处理，以确定晶圆背面需要金属化处理的曝光区域；对光刻层进行显影，以去除所述曝光区域中的光刻胶，保留的光刻胶的截面宽度沿朝向晶圆的方向逐渐减小；沉积金属材料，形成初始金属层，相邻的光刻胶之间的初始金属层的宽度与所述相邻的光刻胶之间的最小宽度适配；去除光刻胶，形成图案化的金属层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，保留的光刻胶为底切结构。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述初始金属层的厚度小于所述光刻胶的厚度。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉积金属材料，形成初始金属层，包括：采用蒸镀方式沿垂直晶圆的方向沉积金属材料，形成初始金属层。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述光刻层进行曝光处理，包括：根据芯片相对晶圆的分布图，对所述光刻层进行曝光处理。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除光刻胶，形成图案化的金属层，包括：采用剥离工艺去除光刻胶，形成图案化的金属层。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述在晶圆的背面涂布光刻胶，形成光刻层之前，所述方法还包括：对晶圆进行减薄处理。8.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述光刻胶的厚度比所述初始金属层的厚度厚1～2微米。2CN113972132A说明书1/3页晶圆背面金属化的方法技术领域[0001]本发明涉及芯片封装技术领域，尤其涉及一种晶圆背面金属化的方法。背景技术[0002]随着大功率器件以及高端芯片对于散热的要求越来越高，晶圆的背面金属化的应用也越来越广泛。背面金属化是物理气相沉积(PVD)的一种，此工艺是用物理的方法使金属材料沉积在晶圆背面的薄膜制备技术，背面金属化后可以降低器件的热阻、增强芯片工作时散热能力；个别功率器件会在背面引出电极，使管芯电极具有良好的欧姆接触特性。[0003]但现有的晶圆背面金属化工艺在切割过程中易产生切割道边缘的背金脱落，或切割的金属丝残留而导致封装过程中短路等问题，降低了晶圆背金工艺以及后续封装的良率。发明内容[0004]为解决上述问题，本发明提供的晶圆背面金属化的方法，通过对晶圆背面涂布光刻胶，并对光刻胶进行曝光和显影，提高了晶圆背金工艺以及后续封装的良率。[0005]本发明提供一种晶圆背面金属化的方法，包括：[0006]提供晶圆；[0007]在晶圆的背面涂布光刻胶，形成光刻层；[0008]对所述光刻层进行曝光处理，以确定晶圆背面需要金属化处理的曝光区域；[0009]对光刻层进行显影，以去除所述曝光区域中的光刻胶，保留的光刻胶的截面宽度沿朝向晶圆的方向逐渐减小；[0010]沉积金属材料，形成初始金属层，相邻的光刻胶之间的初始金属层的宽度与所述相邻的光刻胶之间的最小宽度适配；[0011]去除光刻胶，形成图案化的金属层。[0012]可选地，保留的光刻胶为底切结构。[0013]可选地，所述初始金属层的厚度小于所述光刻胶的厚度。[0014]可选地，所述沉积金属材料，形成初始金属层，包括：[0015]采用蒸镀方式沿垂直晶圆的方向沉积金属材料，形成初始金属层。[0016]可选地，所述对所述光刻层进行曝光处理，包括：[0017]根据芯片相对晶圆的分布图，对所述光刻层进行曝光处理。[0018]可选地，所述去除光刻胶，形成图案化的金属层，包括：[0019]采用剥离工艺去除光刻胶，形成图案化的金属层。[00