一种导电薄膜及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109961874A(43)申请公布日2019.07.02(21)申请号201711338493.X(22)申请日2017.12.14(71)申请人TCL集团股份有限公司地址516006广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区(72)发明人李龙基曹蔚然王宇(74)专利代理机构深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙)44268代理人王永文刘文求(51)Int.Cl.H01B5/14(2006.01)H01B13/00(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图1页(54)发明名称一种导电薄膜及其制备方法(57)摘要本发明公开了一种导电薄膜及其制备方法，其中，所述导电薄膜，包括自下而上设置的基底、第一金属氧化物层、形核诱导层、金属Ag层以及第二金属氧化物层，所述形核诱导层由含羰基的富勒烯衍生物制成。本发明解决了现有的Ag基透明导电薄膜导电性能不佳的问题。CN109961874ACN109961874A权利要求书1/1页1.一种导电薄膜，其特征在于，包括层叠设置的基底、第一金属氧化物层、形核诱导层、金属Ag层以及第二金属氧化物层，所述形核诱导层由含羰基的富勒烯衍生物制成。2.根据权利要求1所述的导电薄膜，其特征在于，所述富勒烯衍生物为PCBM、PCBB或ThCBM。3.根据权利要求1所述的导电薄膜，其特征在于，所述第一金属氧化物层的材料为ZnO、MgZnO、AlZnO、TiO2或MoO3。4.根据权利要求1所述的导电薄膜，其特征在于，所述第二金属氧化物层的材料为ZnO、MgZnO、AlZnO、TiO2或MoO3。5.根据权利要求1所述的导电薄膜，其特征在于，所述基底为透明基底。6.根据权利要求5所述的导电薄膜，其特征在于，所述透明基底的材料为玻璃、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚丙烯己二酸酯或聚二甲基硅氧烷。7.根据权利要求1所述的导电薄膜，其特征在于，所述形核诱导层的厚度为1~5nm，所述金属Ag层的厚度为1~10nm。8.一种导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：提供一基底，在所述基底上沉积第一金属氧化物层；在所述第一金属氧化物层上沉积一层含羰基的富勒烯衍生物，形成形核诱导层；在所述形核诱导层上沉积Ag层；再在所述Ag层上沉积第二金属氧化物层。9.根据权利要求8所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤在所述第一金属氧化物层上沉积一层含羰基的富勒烯衍生物，形成形核诱导层，包括：在所述第一金属氧化物层上旋涂、涂布或打印一层含羰基的富勒烯衍生物溶液，去除溶剂，形成形核诱导层。10.根据权利要求9所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述富勒烯衍生物溶液中，富勒烯衍生物的浓度为0.01~0.5mg/mL。11.根据权利要求8所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述第一金属氧化物层的材料为ZnO、MgZnO、AlZnO、TiO2或MoO3。12.根据权利要求8所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述第二金属氧化物层的材料为ZnO、MgZnO、AlZnO、TiO2或MoO3。2CN109961874A说明书1/5页一种导电薄膜及其制备方法技术领域[0001]本发明涉及导电薄膜技术领域，尤其涉及一种导电薄膜及其制备方法。背景技术[0002]当今，氧化铟锡(ITO)是在光电子器件领域应用较为广泛的透明导电氧化物，而高性能的ITO必需经离温退火处理,因而不能与有机物衬底兼容，但是在室温下制备的ITO电阻率较髙,必须通过增加厚度来提高导电薄膜的导电性，而伴随着厚度増加透过率降低同时薄膜脆性增加,多次弯曲后易失效，亦不能满足柔性器件的要求；同时In资源的缺失以及透明导电薄膜市场需求量的猛増也限制了ITO透明导电薄膜的大规模使用。取而代之的是金属导电多层薄膜，金属透明导电多层膜得益于特定的氧化物-金属-氧化物(Oxide-Metal-Oxide,OMO)三明治结构，其制备工艺简单，易实现大规模生产同时薄膜柔韧性以及稳定性较好,适用于开发廉价柔性的透明导电电极。目前，研究最多且光电性能最优异的就是MO/Ag/MO，但是由于Ag在氧化物衬底上润湿性较差，导致Ag以三维岛状模式生长,很难获得超薄连续的Ag金属层，如何抑制Ag在氧化物表面的岛状三维生长从而获得超薄连续的中间夹层金属,一直是制约MO/Ag/MO电极性能进一步提高的障碍。[0003]一种有效改善MO/Ag/MO电极性能的方法是引入晶种层和添加合金元素，提高Ag的形核密度,得到一种致密连续的Ag，但是由于晶种层的引入不可避免的造成光学透过率的损失,合金元素的掺杂量也很难控制，因此，如何提高MO/Ag/MO的光电性能并且能实现产业化，有待进一步研究。[0004]因此，现有技术还有待于改进和发展。发