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电工电子技术笔记

第一篇：电工电子技术笔记二极管diode（从制造材料分：硅二极管，锗二极管）（从制造结构分：点接触二极管，面接触二极管）点接触二极管：PN结面积小，结电容小，适用高频，但不能通过很大电流，用于小电流整流和检波、混频等。点接触二极管：PN结面积大，适用较低频，允许通过较大电流，可用于整流。通常，硅管死区（在某电压以下导电性不明显）电压为0.5V，锗管约为0.1V。导通时，二极管正向压降基本为一常数，硅管约为0.6～0.7V，锗管约0.2～0.3V。普通二极管的反向击穿电压U(BR)一般在几十伏以上。主要参数：1.最大整流电流IOM（允许通过的最大正向平均电流，超过易过热烧毁）2.最大反向电压URWM（允许的最大工作电压，其值通常取击穿电压U(BR)的一半）3.反向峰值电流IRM（最大反向电压时的反向电流值，此值越小，二极管单向导电性越好，该值受温度影响很大）分析二极管应用电路，关键是判断二极管是导通还是截止，其方法是先将二极管拆去，然后观察二极管是正压还是反压，导通还是截止。二极管导通时，一般用电压源UD=0.7V（硅管，锗管用0.3V）代替。稳压二极管（采用硅材料，掺杂浓度高，通常工作在反向击穿区）1.稳定电压UZ，工作在反向击穿区的稳定工作电压的边界最大电压三极管audion（按结构分，有硅平面管和锗合金管两种，无论平面型还是合金型都分成NPN型和PNP型两类）内部包含三个区：发射区、基区和集电区，各引出三个电极：发射极E、基极B和集电极C，发射区与基区的PN结成为发射结，集电区和基区的PN结称为集电结。第二篇：《电工电子技术》教案讲授内容：支路电流法知识目标：1．了解支路电流法解题适用范围；2．熟练掌握基尔霍夫定律分析电路的方法；3．培养用支路电流法来分析基本电路能力，通过学生对支路电流法的学习，提高学生对基尔霍夫定律的应用的能力及其抽象思维能力。教学重点：掌握并能运用支路电流法来分析基本电路教学难点：1．利用基尔霍夫电压定律（∑u=0）列回路电压方程时各段电压的正、负号的确定；2．熟练掌握并能运用支路电流法来分析基本电路。教学方法：启发法，举例法，讲解法教学工具：黑板，粉笔新课引入：基尔霍夫定律是电路的基本定律之一。不论是在简单的或复杂的电路中，基本霍夫定律所阐明的各支路电流之间和回路中各电压之间的基本关系都是普遍适用的。下面介绍一种应用基尔霍夫定律来求解复杂电路的方法。教学内容：支路电流是以支路电流作为未知量直接应用基尔霍夫电压定律和电流定律列出必要的、数目足够的的独立方程后，联立求解未知电流（列出的独立电压方程或独立电流方程是不能由其他电流或电压方程导出的方程）。对于一个具有n个节点、b条支路的电路可以写出（n-1）个独立的结点电流方程和b-(n-1)个独立的回路电压方程（为保证电压方程式独立的，可按电路中的网孔去列写回路电压方程）。例1如图2所示电路，已知Us1=130V,Us2=117V,R1=1Ω,R2=0.6Ω,R3=24Ω,求各支路电流。解：此电路有三条支路，即有三个未知电流，需要写出三个独立方程，首先给定各支路电流的参考方向，根据KCL列电流方程。对于结点A有I1+I2-I3=0(1)再根据KVL列电压方程，按图示运行方向列出回路电压方程为R1I1-R2I2+Us2-Us1=0（2）和R2I2+R3I3-Us2=0（3）将R1、R2、R3和Us1、Us2数值代入式（2）、（3），由式(1)、（2）、（3）联立求解，得I1=10A，I2=-5A,I3=5A电源Us2的电流I1=-5A，负号表示电流I2的实际方向与图中所示的I2的正方向相反，电源Us2被充电。由例1可总结出支路电流法的解题步骤：1．确定各支路电流的参考方向；2．对独立节点列出（n-1）个独立的KCL方程；3．对独立回路列出b-(n-1)个以支路电流为变量的KVL方程；4．联立求解上述b个独立方程解得各支路电流及其他未知量。验算：用非独立结点电流方程验算各支路电流。优点：对未知支路电流可直接求解缺点：联立求解的方程数目较多适用范围：支路较少的电路分析课堂小结：1．了解支路电流法解题适用范围；2．熟练掌握基尔霍夫定律分析电路的方法；3．运用支路电流法来分析基本电路。板书设计：1．支路电流法概念支路电流法是以支路电流为未知量，应用基尔霍夫定律，列出与支路电流数目相等的独立方程式，再联立求解。2．用支路电流法的步骤步骤1：假设各支路电流的方向和回路方向步骤2：根据节点数列写独立的节点电流方程式（应用KCL可列出（n-1）个方程)步骤3：根据网孔（内部不含有支路的回路），利用KVL列b-(n-1)回路电压方程步骤4：代入已知数,解联立方程式,求出各支路的电流。3．例题分析如图2所示电路，已知Us1=130V,Us2=117V,R1=