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光电总结（精选）

第一篇：光电总结（精选）第一章光电信息技术物理基础在可见光波段，波长最长的是红光，能量最高的是紫光。光是电磁波且为横波，具有偏振性，可见光的波长380～780nm。偏振光（非偏振光、完全偏振光、部分偏振光）光辐射的度量：辐射度量光度量P3~4[计算]P29-1,2,3光辐射的调制指光的强度、相位、偏振、频率/波长的调制光电发射效应、光电导效应、光生伏特效应、热电效应的应用简要说明以下应用是根据哪些光电效应或光学定律或理论：3D偏光眼镜（过滤偏振光）光敏电阻（光电导效应）光电池（势垒效应产生的光生伏特效应）强功率辐射探测器ieCO2脉冲激光输出波形的检测（光子牵引的光生伏特效应）热电偶（热电效应——温差电效应）热电阻（热电效应——热阻效应）红外探测器（外加磁场的光生伏特效应（光磁效应），或热释电效应）辐射和非接触式温度测量、红外摄像（热电效应）实验发现电磁波的发射和吸收不是连续的，是一份一份进行的。（光电发射第二定律（爱因斯坦定律））第二章光辐射信息探测器件主要器件：光电发射效应：光电倍增管PMT光电导效应：光敏电阻光生伏特效应：光电池、光敏二极管PD、光敏三极管、光电位置探测器PSD热释电效应：热释电探测器件光电导效应（光敏电阻）光电导的灵敏度：Sg=g/E（s/lx）[计算]P75—2-7,2-8应用：P41—图2-14路灯控制电路/13恒流偏置电路、恒压偏置电路：光谱特性：下述系统中应选用哪一种光敏电阻照度计的探头照相机自动曝光电路的测光探头路灯自动控制电路的测光探头火焰探测器的探头光生伏特效应（光电池、光敏二极管、光敏三极管）光电池通常在零偏下工作，光敏二极管通常在反偏下工作。光电流放大电路：/13光电二极管：无光照时，与普通二极管相同；光照后，反向电流的大小与入射光照度成正比，几乎与反向电压无关。光电二极管与光电池的特性比较：（频率特性不同，PD的频率特性比光电池好；灵敏度不同，PD的光敏面积比光电池小得多，光电流在微安级；工作方式不同：零偏、反偏）光电二极管与光电三极管的特性比较：（灵敏度不同；光电特性线性不同，光电二极管线性好与三极管；频率特性不同，晶体管比二极管慢；应用不同，光电检测器件和光电开关）光电二极管基本控制电路：光电三极管基本控制电路：光电三极管应用：a亮通光控制电路/13b暗通光控制电路：光电位置探测器PSD（一维PSD的结构及工作原理）：（光电二级光的横向光电效应）/13光电耦合器（光电三极管）的应用：逻辑门电路的分析、设计光电耦合器件的优点：输入输出完全没有电、磁路的联系；信号单向传输；抗干扰和噪声；既有耦合特性又具有隔离特性。光热电效应（热释电探测器件）/13热释电效应与温度的变化率有关，与温度无关。热释电的应用：安全警示、自动门、防盗报警器、感应照明灯等。第三章光电成像器件主要器件：电荷耦合器CCD、CMOS图像传感器、自扫描光电二极管阵列SSPA、接触式图像传感器CIS、直视型光电成像器件CCD电荷耦合器件CCD的工作过程：信号电荷的产生注入、存储、转移耦合、检测[计算]P113-3-1，3-2，3-4，3-5CMOS图像传感器CMOS像素单元结构P92-图3-23CMOS的特点，与CCD图像传感器的比较：（系统集成，低功耗，成像速度快，响应范围宽，抗辐射性强，成本低）（灵敏度差异CCD高，成本差异CCD高，成品率差异CMOS高，分辨率差异CCD高，噪声差异CCD好，功耗差异CMOS低）P98接触式图像传感器CISCIS体积小、光路短、安装简单、成本低，其应用如：扫描仪、传/13真机、复印机、纸币清分机等。直视型光电成像器件（变像管、像增强管、“微光夜视技术”）[了解]第四章发光器件主要器件：LED、OLED、激光器LEDLED直流驱动电路：[计算]P146-4-1，4-3，4-5，4-6LED、LD（半导体激光器）的数字调制：P119-图4-6LED的脉冲驱动：/13LED的应用：照明、显示屏、背景光源、汽车应用、红外LED等。白光LED照明的优点举例：光效率高、发热少、能耗低、寿命长等。OLED的特点举例P124（表面发光、效率高、透明轻薄、坚固耐用、环保、电流驱动器件等）激光器激光产生的三个基本要求：激励/泵浦源、实现粒子数反转、光学谐振腔实现受激辐射的振荡放大激光器的组成及各部分的作用：增益介质、泵浦源、光学谐振腔激光的特点/优点：方向性好，发散角小；单色性好，颜色极纯；相干性好；能量密度高，能量的空间、时间密度大，即光束小，光点小，作用范围小，脉冲持续时间短。[计算]P146-4-7激光器的应用：激光武器、焊接、切割、热处理等半导体激光器LDLD的特点：LD具有体积小、功耗低、方向性好、谱线窄，相干性好等。LD与LED的区别：LED的掺杂浓度没有LD大，