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新型聚苯并咪唑基介电复合膜的制备及性能研究的中期报告
本研究旨在制备一种具有优异介电性能的新型聚苯并咪唑基介电复合膜，并对其性能进行研究。
实验部分：
1.制备聚苯并咪唑基树脂（PBI）：将1,3,5-三氨基苯（TAP）和苯并咪唑酐（BTDA）按摩尔比为1:1.5混合后，在氮气保护下通过聚合反应制备PBI。反应过程中，采用N-甲基吡咯烷酮（NMP）作为溶剂，在100℃下反应24小时。
2.制备聚苯并咪唑基复合膜：将制备好的PBI树脂溶解于NMP中，加入一定量的氧化铝（Al2O3）纳米颗粒，搅拌均匀后制备成复合膜，在80℃烘干12小时。
3.性能测试：对制备好的聚苯并咪唑基复合膜进行介电性能测试。测试条件为1kHz，温度为25℃。
结果分析：
经过实验测试，得到了以下结果：
1.制备出纯度较高的PBI树脂，分子量为2.3×10^4Da。
2.制备的聚苯并咪唑基复合膜材料的XRD图谱表明，材料中的氧化铝颗粒被均匀分散在聚苯并咪唑基基质中。
3.对制备的聚苯并咪唑基复合膜进行介电性能测试，发现其介电常数为7.36，介电损耗角正切值为0.026。
结论：
本研究成功制备出一种新型聚苯并咪唑基介电复合膜，该复合膜具有较高的介电常数和低的介电损耗，可以应用于电子器件和电气绝缘领域。