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亚阈值低功耗SRAM关键技术研究的中期报告
本研究旨在探讨亚阈值低功耗静态随机存储器（SRAM）的关键技术，中期报告主要包括以下几个方面的研究内容：
一、亚阈值低功耗SRAM的简介
亚阈值低功耗SRAM是一种新型的存储器技术，其特点是工作电压低、功耗小，可用于低功耗的移动设备、物联网设备等。该类型的SRAM的工作电压通常低于传统SRAM的阈值电压，因此需要特殊的固有延迟补偿技术。
二、亚阈值低功耗SRAM的原理及关键技术
亚阈值低功耗SRAM的工作原理是基于维持放电器（maintaincell）的工作过程，其中维持放电器是由两个逆并联的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）组成的。由于亚阈值电压下MOSFET的电流-电压特性呈指数变化，因此亚阈值低功耗SRAM需要一些关键技术来提高稳定性和可靠性，其中包括参考电压电路、Row-Column选择电路、读写放大器、本底偏置电路等。
三、研究内容及进展
目前，我们已经完成了亚阈值低功耗SRAM的原理和关键技术的研究，并进行了芯片级仿真和电路设计，初步验证了所提出的方案的可行性。同时，我们还对该技术与其他存储器技术进行了比较和分析，实验结果表明，亚阈值低功耗SRAM具有更低的功耗和更小的面积，同时具有更好的噪声容限和故障率。
四、下一步工作计划
下一步，我们将继续优化所提出的亚阈值低功耗SRAM技术，尝试将其应用到更广泛的场景中。同时，我们还会继续研究和探讨其他与该技术相关的问题，如工作温度、数据保持时间等。最终，我们希望能够开发出高性能、低功耗、高可靠性的亚阈值低功耗SRAM芯片，为低功耗电子设备的发展做出更大的贡献。