晶圆清洗方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN105983546A(43)申请公布日2016.10.05(21)申请号201510080424.8(22)申请日2015.02.13(71)申请人中芯国际集成电路制造（上海）有限公司地址201203上海市浦东新区张江路18号(72)发明人朱海青唐强(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237代理人屈蘅李时云(51)Int.Cl.B08B1/02(2006.01)B08B3/02(2006.01)H01L21/02(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图2页(54)发明名称晶圆清洗方法(57)摘要本发明提供了一种晶圆清洗方法，具体包括如下步骤：提供一晶圆清洗装置，所述晶圆清洗装置包括承托晶圆的滚轮及清洗晶圆的清洗刷；将待清洗的晶圆竖直放置于所述滚轮上并将清洗刷靠近晶圆，向晶圆喷涂清洗液，所述晶圆在滚轮的带动下先进行顺时针自转或逆时针自转，之后进行相反方向的自转。在对晶圆进行清洗过程中，所述晶圆在滚轮的带动下首先进行顺时针自转或逆时针自转，之后做相反方向的自转，通过变换清洗过程中晶圆的自转的方向，清洗液能够较好的去除晶圆表面的污染物，避免了污染物的残留对后续半导体器件性能的影响，提高了生产的半导体器件的良率。CN105983546ACN105983546A权利要求书1/1页1.一种晶圆清洗方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一晶圆清洗装置，所述晶圆清洗装置包括承托晶圆的滚轮及清洗晶圆的清洗刷；将待清洗的晶圆竖直放置于所述滚轮上并将清洗刷靠近晶圆，向晶圆喷涂清洗液，所述晶圆在滚轮的带动下先进行顺时针自转或逆时针自转，之后进行相反方向的自转。2.如权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述晶圆进行顺时针自转时，所述清洗刷以100rpm/min-400rpm/min的转速进行自转，自转时间为30-35sec。3.如权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述晶圆进行逆时针自转时，所述清洗刷以400rpm/min-700rpm/min的转速进行自转，自转时间为25-30sec。4.如权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述晶圆进行顺时针自转时，向晶圆喷涂的清洗液的流量为2.9-3.1ml/min。5.如权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述晶圆进行逆时针自转时，向晶圆喷涂的清洗液的流量为2.5-2.8ml/min。6.如权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述晶圆清洗装置还包括与清洗液源相连的喷雾棒及均匀的设置于所述喷雾棒上并与所述喷雾棒连通的多个喷嘴，通过所述喷雾棒以及多个喷嘴向晶圆喷涂清洗液。7.如权利要求6所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述清洗液为浓度为20％～40％的柠檬酸。8.如权利要求1-7中任一项所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述晶圆在滚轮的带动下以10～20rpm/min的转速进行顺时针自转或逆时针自转。9.如权利要求1-7中任一项所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述清洗刷有两个，当所述晶圆竖直放置于所述滚轮上时，所述晶圆位于两个所述清洗刷之间。2CN105983546A说明书1/3页晶圆清洗方法技术领域[0001]本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种晶圆清洗方法。背景技术[0002]一般来说，在半导体器件的整个制造工艺中，高达20％的工艺步骤为清洗工艺，使得晶圆表面的清洗度成为影响半导体器件可靠性的重要因素。清洗的目的是为了避免微量离子和金属杂质对半导体器件的污染，从而提高半导体器件的性能和合格率。在常用的半导体工艺中，例如：沉积、等离子体刻蚀、旋涂光刻胶、光刻、电镀等等，都有可能会在晶圆表面引入污染和/或颗粒，导致晶圆表面的清洁度下降，使得制造的半导体器件良率低的问题。[0003]在目前半导体器件的制造工艺中，常采用化学机械研磨来进行金属或介质薄膜整体平坦化处理，在化学机械研磨工艺中会使用到研磨液，例如氧化铝或者气体或胶态二氧化硅之类的颗粒，以及使用于化学机械研磨处理的表面活性剂、侵蚀剂和其他添加剂。在化学机械研磨处理后，由研磨液的颗粒、添加至研磨液中的化学品、以及研磨液的反应产生物所构成的污染物(residue)会留在晶圆的表面上，这些污染物必须在进入下一个工艺之前全部清洗干净，以避免引入污染物对器件所造成的缺陷，以提高半导体器件的可靠性。[0004]请参考图1和图2，图1为晶圆清洗装置的立体结构示意图；图2为晶圆清洗装置的结构示意图，晶圆清洗装置包括：三只滚轮110、一对清洗刷120和两排设有若干用于冲洗晶圆130的清洗晶圆的喷嘴141的喷雾棒140。所述清洗刷120分别设置在晶圆130的正反面，且所述清洗刷120夹住晶圆130正反表面并对晶圆130正反表面进行滚动刷洗，