一种烧结NdFeB磁体及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108122655A(43)申请公布日2018.06.05(21)申请号201711403132.9C22C38/16(2006.01)(22)申请日2017.12.21C22C38/10(2006.01)C22C38/02(2006.01)(71)申请人宁波金轮磁材技术有限公司地址315300浙江省宁波市慈溪市宗汉街道百两村(72)发明人赵渭敏于博赵胤杰(74)专利代理机构北京维正专利代理有限公司11508代理人黄勇(51)Int.Cl.H01F1/057(2006.01)H01F1/08(2006.01)H01F41/02(2006.01)C22C33/02(2006.01)C22C38/06(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图1页(54)发明名称一种烧结NdFeB磁体及其制备方法(57)摘要一种烧结NdFeB磁体，包括Nd：18.2wt％、Pr：6.0wt％、Tb：1.4wt％、Al：0.25wt％、Cu：0.10wt％、Co：1.00wt％、Ga：0.09wt％、B：0.96wt％、Ag：0.05～0.11wt％、Si：0.09wt％、La：0.07wt％、Eu：0.06wt％、In：0.08wt％、Zn：1.3wt％、Sn：0.9wt％，其余为Fe和不可除去的杂质。该种烧结NdFeB磁体具有较高的磁能积和矫顽力。并且其制备方法能够有效地排除影响烧结NdFeB磁体磁能积和矫顽力的因素，从而对于烧结NdFeB磁体的质量有着积极的推动作用。CN108122655ACN108122655A权利要求书1/1页1.一种烧结NdFeB磁体，其特征在于：包括Nd：15.3～21.1wt％、Pr：4.4～7.8wt％、Tb：1.0～1.8wt％、Al：0.1～0.4wt％、Cu：0.09～0.12wt％、Co：0.1～2wt％、Ga：0.04～0.14wt％、B：0.94～0.98wt％、Ag：0.05～0.17wt％、Si：0.04～0.14wt％、La：0.05～0.10wt％、Eu：0.03～0.09wt％、In：0.06～0.10wt％、Zn：1.2～1.4wt％、Sn：0.6～1.2wt％，其余为Fe和不可除去的杂质。2.根据权利要求1所述的一种烧结NdFeB磁体，其特征在于：包括Nd：18.2wt％、Pr：6.0wt％、Tb：1.4wt％、Al：0.25wt％、Cu：0.10wt％、Co：1.00wt％、Ga：0.09wt％、B：0.96wt％、Ag：0.05～0.11wt％、Si：0.09wt％、La：0.07wt％、Eu：0.06wt％、In：0.08wt％、Zn：1.3wt％、Sn：0.9wt％，其余为Fe和不可除去的杂质。3.如权利要求1或2中任意一项权利要求所述的一种烧结NdFeB磁体的制备方法，包括如下步骤：S1、将Nd、Pr、Tb、Co、B、Ag、Cu、Si、Zn、Sn和Fe按规定质量分数加入到真空感应速凝炉中进行熔炼；S2、待S1中的所有物质都熔融之后，再将La、Eu、Al、In和Ga按规定的质量分数加入到真空感应速凝炉中与之前的物质一起进行混合熔炼，得到甩带合金薄片；S3、将甩带合金薄片先在氢化炉中进行破碎，然后在气流磨中制成微粉；S4、将微粉于氮气保护下进行混粉，使得粒度均匀分散；S5、将S4中的微粉在有氮气的保护下进行压型；S6、将压制好的毛坯在氮气的保护下放入真空烧结炉进行烧结，烧结温度为1045℃～1080℃，保温时间3～5小时后充入Ar气冷却到900℃，然后在真空炉里进行时效处理，第一级时效温度900℃～950℃，保温3～5小时后充入Ar气冷却到100℃以下，第二级时效温度600℃～610℃，保温3～5小时后充入Ar气，冷却到80℃以下出炉，并均匀涂布上抗氧漆。4.根据权利要求3所述的一种烧结NdFeB磁体的制备方法，其特征在于：Cu和Si来源于Cu-Si中间合金。5.根据权利要求3所述的一种烧结NdFeB磁体的制备方法，其特征在于：S3中在甩带合金薄片破碎后，加入乙酸甲酯、聚环氧乙烷单脂肪酸酯和石墨的混合物，且乙酸甲酯、聚环氧乙烷单脂肪酸酯和石墨的质量比为5∶5∶1。6.根据权利要求3所述的一种烧结NdFeB磁体的制备方法，其特征在于：S6中毛坯在烧结过程中，当真空烧结炉温度升高至650℃时，保温处理30min，再继续升温至750℃时，保温处理15min。7.根据权利要求6所述的一种烧结NdFeB磁体的制备方法，其特征在于：当真空烧结炉温度升高至650℃时，真空烧结炉内的绝对压力控制在100Pa。8.根据权利要求3所述的一种烧结NdFeB磁体的制备方法，其特征在于：S6中待第一时效结束之后，在1min中将毛