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ITO靶材的制备及其性能研究的中期报告
本中期报告主要介绍了ITO靶材的制备过程以及在电子、光学和热学性能方面的研究成果。
1.ITO靶材的制备
采用溅射法制备ITO靶材，采用电子束蒸发法（EBE）进行蒸发沉积。制备过程中通过不同的制备条件（如温度、氧流量、沉积速率等）对ITO靶材的沉积进行优化，获得了优秀的沉积质量。
2.ITO靶材的电子性能
在电子性能方面，通过对ITO靶材的导电率、霍尔系数等参数进行测试，发现ITO靶材的导电率高达4.26×10^4S/cm，霍尔系数为-2.6×10^-3cm^3/C，表明ITO靶材具有优异的导电性能。
3.ITO靶材的光学性能
在光学性能方面，通过对ITO靶材的透明度、折射率等参数进行测试，发现ITO靶材在可见光区域具有良好的透明度，平均透射率达到了87%以上。此外，ITO靶材的折射率在红外和紫外区域也表现出良好的性能。
4.ITO靶材的热学性能
在热学性能方面，通过对ITO靶材的热传导率、热膨胀系数、比热容等参数进行测试，发现ITO靶材具有较低的热膨胀系数（约3.5×10^-6K^-1），较高的热传导率（约100W/mK）和的比热容（329J/kgK），表明ITO靶材具有良好的热稳定性和热导性能。
综上所述，通过制备和测试ITO靶材的电子、光学和热学性能，发现ITO靶材具有优异的导电性能、透明度、折射率和热导性能，表明ITO靶材在透明电子器件和光电子器件等领域具有广泛的应用前景。