双面减薄的装置和方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110860998A(43)申请公布日2020.03.06(21)申请号201911252063.5(22)申请日2019.12.09(71)申请人徐州鑫晶半导体科技有限公司地址221004江苏省徐州市经济技术开发区鑫芯路1号(72)发明人卢健平(74)专利代理机构北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201代理人肖阳(51)Int.Cl.B24B37/08(2012.01)B24B37/34(2012.01)B24B1/00(2006.01)权利要求书2页说明书9页附图5页(54)发明名称双面减薄的装置和方法(57)摘要本发明公开了双面减薄的装置和方法，装置包括：环状保持器，所述环状保持器包括承载环和静压环，所述承载环沿径向支撑加工工件的外周侧，通过所述承载环带动加工工件在竖直方向上转动，所述静压环沿着径向固定设置在承载环的外周侧；两个静压垫，分别为第一静压垫和第二静压垫，所述两个静压垫分别对称地设置在环状保持器的两侧；进击轴，所述进击轴设置在静压垫的下部开孔处，沿着轴向移动，所述进击轴上的砂轮通过开孔直接研磨加工工件，所述第一静压垫与第二静压垫的间距为D0+130～D0+150微米。由此，采用该装置可相对地提升生产的稳定性，降低机台调试的频率。CN110860998ACN110860998A权利要求书1/2页1.一种双面减薄的装置，包括：环状保持器，所述环状保持器包括承载环和静压环，所述承载环沿径向支撑加工工件的外周侧，通过所述承载环带动加工工件在竖直方向沿轴向转动，所述静压环沿着径向固定设置在承载环的外周侧，两个静压垫，分别为第一静压垫和第二静压垫，所述两个静压垫分别对称地设置在环状保持器的两侧，进击轴，所述进击轴设置在所述静压垫的下部开孔处，沿着轴向移动，所述进击轴上的砂轮通过开孔直接研磨加工工件，其特征在于，所述第一静压垫与第二静压垫的间距为D0+130～D0+150微米，其中D0为加工工件初始厚度，单位为微米。2.根据权利要求1所述装置，其特征在于，所述静压环的厚度设置为D0+(130～150)微米+2X-(40～50)微米，其中，X为静压垫与静压环运行预留的间隔，单位为微米，静压环偏摆量为40～50微米。3.根据权利要求1或2所述的装置，其特征在于，所述承载环上设置有定位槽驱动片，所述定位槽驱动片与所述承载环是分离式的，所述加工工件直接卡在所述定位槽驱动片上，所述定位槽驱动片转动带动加工工件运动。4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述定位槽驱动片处于研磨区的厚度为D1-80～D1-100微米，所述定位槽驱动片处于研磨区外的厚度大于研磨区的厚度，其中D1为加工工件最终厚度，单位为微米。5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述定位槽驱动片与所述承载环成同一平面，所述加工工件直接卡在承载环上，通过所述承载环上定位槽驱动片的驱动点运动，带动整个加工工件的转动。6.根据权利要求1或2所述的装置，其特征在于，所述静压环外周布置两个接触式滚轮及两个静压导轮，通过所述静压导轮的进水口施加水压，由水产生压力来加压固定静压环。7.一种利用权利要求1-6中任一项所述装置实施双面减薄的方法，其特征在于，包括：(1)砂轮接近阶段：初始时砂轮的间隔设定为工件初始厚度；(2)粗加工阶段：所述粗加工阶段移除量由切割条件来决定；(3)精加工阶段：所述精加工阶段的移除量根据粗加工阶段来决定；(4)修整减薄阶段：所述修整减薄阶段的移除量为0-5微米；其中，在步骤(1)之前，设定所述两个静压垫的间距为D0+130～D0+150微米，D0为所述加工工件初始厚度，单位为微米。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述步骤(1)之前，设定所述静压环的厚度为D0+(130～150)微米+2X-(40～50)微米，其中X为静压垫与静压环运行预留的间隔，单位为微米。9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在所述步骤(1)之前，设定固定槽驱动片上研磨区的厚度为D1-80～D1-100微米，所述定位槽驱动片处于研磨区外的厚度大于研磨区的厚度，其中D1为加工工件最终厚度，单位为微米。10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述步骤(1)之前，所述静压环外周底部布置两个接触式滚轮及上部布置两个静压导轮，通过上部静压导轮的进水口施加水压，2CN110860998A权利要求书2/2页在所述静压环上形成水膜，通过水膜产生的压力来加压固定静压环。11.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，还包含(5)：加工工件的夹取步骤，所述进水口持续向一个静压垫喷水，使得加工工件在水压的作用推向另一个静压垫，利用硬质吸盘吸附所述加工工件。12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，