微电子器件(3-1).ppt

第3章双极结型晶体管双极型晶体管有两种基本结构：PNP型和NPN型，其结构示意图和在电路图中的符号如下。均匀基区晶体管：基区掺杂为均匀分布。少子在基区主要作扩散运动，又称为扩散晶体管。加在各PN结上的电压为均匀基区晶体管在4种工作状态下的少子分布图均匀基区NPN晶体管在平衡状态下的能带图均匀基区NPN晶体管在4种工作状态下的能带图3.1.4晶体管的放大作用为了理解晶体管中的电流变化情况，先复习一下PN结中的正向电流。以PNP管为例。忽略势垒区产生复合电流，处于放大状态的晶体管内部的各电流成分如下图所示，从IE到IC，发生了两部分亏损：InE与Inr。定义：发射结正偏，集电结零偏时的IC与IE之比，称为共基极直流短路电流放大系数，记为，即：定义：发射结正偏，集电结零偏时的IC与IB之比，称为共发射极直流短路电流放大系数，记为，即：α与hFB以及β与hFE在数值上几乎没有什么区别，但是若采用α与β的定义，则无论对α与β本身的推导还是对晶体管直流电流电压方程的推导，都要更方便一些，所以本书只讨论α与β。除了上面两种直流电流放大系数外，还有直流小信号电流放大系数（也称为增量电流放大系数）和高频小信号电流放大系数。直流小信号电流放大系数的定义是