晶圆湿法减薄方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114121638A(43)申请公布日2022.03.01(21)申请号202111370342.9(22)申请日2021.11.18(71)申请人华虹半导体（无锡）有限公司地址214028江苏省无锡市新吴区新洲路30号(72)发明人孙运龙陈裕谭秀文(74)专利代理机构上海浦一知识产权代理有限公司31211代理人戴广志(51)Int.Cl.H01L21/306(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图2页(54)发明名称晶圆湿法减薄方法(57)摘要本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种用于提高晶圆刻蚀量一致性的晶圆湿法减薄方法。所述晶圆湿法减薄方法包括依次进行的以下步骤：获取刻蚀药液的累计使用时长变量与刻蚀速度变量之间的对应关系；获取当前目标晶圆，确定对所述当前目标晶圆进行湿法减薄工艺时，所述刻蚀药液的当前累计使用时长；基于所述刻蚀药液的所述当前累计使用时长，和所述对应关系，确定与所述刻蚀药液的所述当前累计使用时长对应的当前刻蚀速度；基于所述当前刻蚀速度和预设的刻蚀减薄量，计算出对所述当前目标晶圆进行湿法减薄工艺的当前刻蚀时长；使用所述刻蚀药液，以所述当前刻蚀时长，对所述当前目标晶圆进行湿法减薄工艺。CN114121638ACN114121638A权利要求书1/1页1.一种晶圆湿法减薄方法，其特征在于，所述晶圆湿法减薄方法包括依次进行的以下步骤：获取刻蚀药液的累计使用时长变量与刻蚀速度变量之间的对应关系；获取当前目标晶圆，确定对所述当前目标晶圆进行湿法减薄工艺时，所述刻蚀药液的当前累计使用时长；基于所述刻蚀药液的所述当前累计使用时长，和所述对应关系，确定与所述刻蚀药液的所述当前累计使用时长对应的当前刻蚀速度；基于所述当前刻蚀速度和预设的刻蚀减薄量，计算出对所述当前目标晶圆进行湿法减薄工艺的当前刻蚀时长；使用所述刻蚀药液，以所述当前刻蚀时长，对所述当前目标晶圆进行湿法减薄工艺。2.如权利要求1所述的晶圆湿法减薄方法，其特征在于，在所述使用所述刻蚀药液，以所述当前刻蚀时长，对所述当前目标晶圆进行湿法减薄工艺的步骤完成后，还进行：使得所述刻蚀药液累计使用时长变量的值增加；基于判断增加后的所述刻蚀药液累计使用时长变量的值是否大于预设累计使用时长，确定是否更换刻蚀药液。3.如权利要求2所述的晶圆湿法减薄方法，其特征在于，所述基于判断增加后的所述刻蚀药液累计使用时长变量的值是否大于预设累计使用时长，确定是否更换刻蚀药液的步骤，包括：当增加后的所述刻蚀药液累计使用时长变量的值大于预设累计使用时长，确定更换刻蚀药液；使得刻蚀药液累计使用时长变量的值归零，作为刻蚀药液下一累计使用时长，对下一目标晶圆进行湿法减薄工艺。4.如权利要求2所述的晶圆湿法减薄方法，其特征在于，所述基于判断增加后的所述刻蚀药液累计使用时长变量的值是否大于预设累计使用时长，确定是否更换刻蚀药液的步骤，包括：当增加后的所述刻蚀药液累计使用时长变量的值小于或等于预设累计使用时长，以增加后的所述刻蚀药液累计使用时长变量的值，作为刻蚀药液下一累计使用时长，对下一目标晶圆进行湿法减薄工艺。5.如权利要求1所述的晶圆湿法减薄方法，其特征在于，在获取刻蚀药液的累计使用时长变量与刻蚀速度变量之间的对应关系的步骤进行前，还进行：预先确定并存储刻蚀药液累计使用时长变量与刻蚀速度变量之间的对应关系。6.如权利要求1所述的晶圆湿法减薄方法，其特征在于，所述基于所述当前刻蚀速度和预设的刻蚀减薄量，计算出对所述当前目标晶圆进行湿法减薄工艺的当前刻蚀时长的步骤，包括：获取所述当前刻蚀速度和预设的刻蚀减薄量；基于所述当前刻蚀速度和预设的刻蚀减薄量，和公式：刻蚀时长＝刻蚀减薄量/刻蚀速度，计算出对所述当前目标晶圆进行湿法减薄工艺的当前刻蚀时长。7.如权利要求1或6所述的晶圆湿法减薄方法，其特征在于，所述刻蚀减薄量为预先存储的常量。2CN114121638A说明书1/4页晶圆湿法减薄方法技术领域[0001]本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种用于提高晶圆刻蚀量一致性的晶圆湿法减薄方法。背景技术[0002]半导体集成电路制造工艺向着更薄化趋势发展，从而对晶圆的厚度有了更加严格的要求。为了使得器件具有较高的热力学一致性，使得垂直功率器件具有较高的电学一致性，而对晶圆间的晶圆厚度一致性的要求越来越高。[0003]但是在通过研磨结合湿法刻蚀的工艺对晶圆进行减薄过程中，刻蚀药液对晶圆的刻蚀速度随着该刻蚀药液的累计使用时长的增加而降低，从而导致相同刻蚀时间的晶圆刻蚀量降低，导致减薄后不同的晶圆厚度差异较大。发明内容[0004]本申请提供了一种晶圆湿法减薄方法，可以解决相关技术中因刻蚀药液对晶圆的刻蚀速度随着该刻蚀药