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华为TD-LTE产品介绍

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HUAWEITECHNOLOGIESCO.,LTD.
2012年华为TD-LTE系列产品
35pt
:R153G0B0
:八通道双通道八通道双通道
原子站
FrutigerNextLTMedium原子站
:Arial单通道

32pt
:R153G0B0
黑体

22pt
):18pt
黑色系列化RRU模块
:
Atom原子站
FrutigerNextLTRegular单通道2通道8通道
共平台双模BBU(原型机)
:Arial

20pt
):18pt
黑色
细黑体
SingleRAN平台

DRRU3161-faeDRRU3162-faDRRU3152-eRRU3251DRRU3168-faRRU3253
规划中
E频段F频段E频段D频段F频段D频段

HUAWEITECHNOLOGIESCO.,LTD.HuaweiConfidential
BBU关键特性和参数
35pt
:R153G0B0
:型号DBBP530(BBU3900)
FrutigerNextLTMedium
:Arial
18*20M8T8R
32pt单框容量
:R153G0B036*20M2T2R
黑体
DBBP530(BBU3900)
3*20M8T8R
单基带板规格
6*20M2T2R
22pt
):18pt采用统一HERT平台，多制式多频段
黑色Ir接口速率9.8G/6.1G/4.9G/2.5G
:统一产品：
FrutigerNextLTRegular
:Arial支持F/A/D/E全频段；Ir接口数36个

20pt支持2G/3G/LTE多模；
GPS/北斗/1PPS+ToD/1588V2FE带
):18pt同步模式
黑色HERT平台全球规模成熟商用，统一内同步
细黑体
基带、主控板，可靠性得以继承；
尺寸2U/19英寸

满配重量12kg

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自研ASIC芯片实现高集成度TDL基带板
35pt
:R153G0B0
:自研ASIC芯片，已规模商用单基带板可满足S1/1/1典型配置需求
FrutigerNextLTMedium
:Arial

32ptDSP
:R153G0B0
黑体＋＝

FPGA
自研ASIC芯片
22pt通用芯片组合TDL基带TDL主控
):18pt
黑色
单片ASIC能力=3个四核DSP+2个高端FPGATD-LTE典型三扇区配置（8通道20MHz）
:
注：以业界目前主流商用高端芯片为例，DSP（飞思卡尔
FrutigerNextLTRegular大幅降低功耗，降低TCO
:Arial8157），FPGA（Altera的StratixIVGX230）

20pt
):18ptTD-LTE和FDDLTE基带硬件统一，全球商用发
黑色单基带通用芯片ASIC芯片需要单站节10000站一
货，国内杭州、深圳LTE实验网规模商用；板功耗需基带板基带板省功率年节省电费
细黑体
领先业界一年以上；

80w31160w1402万千瓦时
单基带板3个20M（8T）或6个20M(2T/1T)，
可支持LTE-A演进；
注：以S111典型站型计算

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F/E频段RRU关键特性和参数
35pt
:R153G0B0
:DRRU3161-
FrutigerNextLTMedium型号DRRU3168-faDRRU3162-faDRRU3152-e
:Arialfae

32pt
支持频段F+A双频F＋A双频E频段F＋A+E三频
:R153G0B0
DRRU3168-faDRRU3162-faDRRU3161-fae
黑体8通道DRRU3152-e单通道
双通道F:20M+10M+5M
容量F:20M+10M+5M20M+10M2*20M+10M
E:20M*2+10M
F频段RRU高性能滤波器支持
22pt1850~1875MHz系统共址建设，
):18pt通道数8通道2通道双通道单通道
黑色杂散指标-65dB，阻塞指标-8dB
:
F频段8通道RRU采用新一代功放光口速率9.8G6.144G9.8G9.8G
FrutigerNextLTRegular
:Arial，支持更大发射功率达20W/Path
额定输出FA：30W/path
，功放效率进一步提升20W/path30W/path50W/path
20pt功率E：50W/path
):18pt
支持2×9.8G光接口
黑色级联级数—466
细黑体支持增强I