部件承载件以及制造部件承载件的方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115835493A(43)申请公布日2023.03.21(21)申请号202211123214.9(51)Int.Cl.(22)申请日2022.09.15H05K3/00(2006.01)H05K3/40(2006.01)(30)优先权数据H05K3/42(2006.01)21197256.72021.09.16EPH05K1/11(2006.01)(71)申请人奥特斯奥地利科技与系统技术有限公司地址奥地利莱奥本(72)发明人阿卜德尔拉扎克·伊菲斯詹斯·里德勒卢卡斯·赫雷斯费利克斯·斯克里瓦内克朱莉娅·普拉策(74)专利代理机构成都超凡明远知识产权代理有限公司51258专利代理师张秀娟权利要求书3页说明书20页附图7页(54)发明名称部件承载件以及制造部件承载件的方法(57)摘要一种制造部件承载件(100)的方法，其中，该方法包括在层叠置件(104)中进行激光钻孔来钻出盲孔(102)，以及随后通过蚀刻将盲孔(102)延伸成通孔(106)。此外，本申请还涉及一种部件承载件。CN115835493ACN115835493A权利要求书1/3页1.一种制造部件承载件(100)的方法，其中，所述方法包括：在层叠置件(104)中进行激光钻孔来钻出盲孔(102)；以及随后通过蚀刻将所述盲孔(102)延伸成通孔(106)。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法包括：进行激光钻孔而钻穿所述层叠置件(104)的正面电传导层结构(108)且钻入到所述层叠置件(104)的电绝缘层结构(112)的至少部分电绝缘层结构中。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法包括：通过蚀刻在所述层叠置件(104)的正面电传导层结构(108)中形成窗，以及随后，进行激光钻孔而钻穿所述窗且钻入到所述电绝缘层结构(112)的至少部分电绝缘层结构中。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法包括：进行激光钻孔而钻穿所述层叠置件(104)的整个电绝缘层结构(112)直到钻至所述层叠置件(104)的作为停止层的背面电传导层结构(110)。5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述方法包括：在进行所述激光钻孔而钻穿整个电绝缘层结构(112)直到钻至所述背面电传导层结构(110)之后，通过蚀刻在所述背面电传导层结构(110)中形成窗。6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法包括：仅从所述层叠置件(104)的一个侧部在所述层叠置件(104)中进行激光钻孔。7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法包括：用填充介质对所述通孔(106)进行至少部分地填充，特别地，用电传导填充介质对所述通孔(106)进行至少部分地填充。8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述方法包括：通过非电镀覆而用所述电传导填充介质来对所述通孔(106)进行至少部分地填充，特别地，通过形成化学金属而用所述电传导填充介质来对所述通孔(106)进行至少部分地填充。9.根据权利要求7所述的方法，其中，所述方法包括：通过电镀而用所述电传导填充介质在先前通过非电镀覆形成的种子层(116)上对所述通孔(106)进行至少部分地填充，特别地，通过流电镀覆而用所述电传导填充介质在先前通过非电镀覆形成的种子层(116)上对所述通孔(106)进行至少部分地填充。10.根据权利要求1所述的方法，包括以下特征中的至少一个特征：其中，所述方法包括：通过在所述盲孔(102)的区域中、在所述层叠置件(104)的电绝缘层结构(112)上于所述层叠置件(104)的背面电传导层结构(110)的相反的两个暴露表面部分处同时进行蚀刻来将所述盲孔(102)延伸成所述通孔(106)；其中，所述方法包括：使用二氧化碳激光器和紫外激光器中的至少一者对所述盲孔(102)进行激光钻孔；其中，在进行蚀刻之前，所述层叠置件(104)的正面电传导层结构(108)和背面电传导层结构(110)中的至少一者具有不大于20μm的厚度(D)，特别地，所述层叠置件(104)的正面电传导层结构(108)和背面电传导层结构(110)中的至少一者具有在介于5μm至12μm的范围内的厚度(D)；其中，在进行蚀刻之后，所述层叠置件(104)的正面电传导层结构(108)和背面电传导层结构(110)中的至少一者具有在介于1μm至7μm的范围内的厚度(d)，特别地，所述层叠置件(104)的正面电传导层结构(108)和背面电传导层结构(110)中的至少一者具有在介于2μ2CN115835493A权利要求书2/3页m至5μm的范围内的厚度(d)；其中，所述蚀刻包括：用于去除表面金属材料的第一蚀刻处理，接着是提高表面粗糙度的第二蚀刻处理，其中特别地，所述第一蚀刻处理包括去污处理，以及/或者所述第二蚀刻处理包括闪蚀处理；其中，所述方法