一种高耐磨聚酰亚胺/纳米二硫化钨/纳米金刚石复合薄膜及其制备方法.pdf
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一种高耐磨聚酰亚胺/纳米二硫化钨/纳米金刚石复合薄膜及其制备方法.pdf
本发明公开了一种高耐磨聚酰亚胺/纳米二硫化钨/纳米金刚石复合薄膜及其制备方法,其由以下重量份的原料制成:4,4’‑二氨基二苯醚20‑25、N,N‑二甲基乙酰胺36‑42、均苯四甲酸酐22‑27、全氟聚醚11‑17、纳米二硫化钨7‑14、甲基丙烯酸二甲氨基乙酯5‑10、纳米金刚石5‑10、伊蒙混层粘土4‑8、醇酸树脂9‑16、环烷酸钙2‑4、列克纳胶10‑15。本发明采用纳米二硫化钨、纳米金刚石等纳米无机填料搭配全氟聚醚、甲基丙烯酸二甲氨基乙酯,醇酸树脂等有机高分子材料用于改性聚酰亚胺薄膜,使其不仅具有优
一种聚酰亚胺银纳米花复合薄膜及其制备方法.pdf
本发明公开一种聚酰亚胺银纳米花复合薄膜,通过在聚酰亚胺表面生长银纳米花制备得到,银纳米花由银纳米片在聚酰亚胺表面组装得到,银纳米片由银纳米颗粒在聚酰亚胺表面沿111晶面生长得到。制备方法:配置还原剂和柠檬酸盐的混合水溶液,并将其调节为pH=3.2~3.8;将通过表面化学改性-离子交换法制备的表面络合有银离子的聚酰亚胺薄膜,在室温下快速浸入混合水溶液中,浸渍时间为1~10min,同时匀速缓慢搅拌;取出后用去离子水洗去表面残留溶液离子,静置于空气中自然干燥,即可得到聚酰亚胺银纳米花复合薄膜。本发明在保证基底聚
一种PVD法制备二硫化钨纳米薄膜的方法.pdf
本发明属于半导体纳米材料制造类,特征在于:采用物理气相沉积(PVD)方法,以二硫化钨粉末为反应源,以二氧化硅/硅为衬底,在460‑470Pa气压下经900℃‑1000℃高温加热后冷却得到。本发明中,纯度为99%的二硫化钨粉末装入陶瓷舟中,被置于水平石英管炉的热区中心,300nm厚的二氧化硅/硅衬底置于顺着气流下方14‑17cm远的位置。排尽空气后,反应源在40分钟内从室温加热到900℃‑1000℃并维持30分钟到1小时,然后自然冷却至室温。利用该方法可以在衬底上得到单层的二硫化钨纳米薄膜,形貌可精确控制为
一种水性聚酰亚胺纳米复合薄膜及其制备方法和应用.pdf
本发明公开一种水性聚酰亚胺纳米复合薄膜及其制备方法和应用,所述水性聚酰亚胺纳米复合薄膜是由二胺和二酐合成聚酰胺酸,在聚酰胺酸中加入催化剂制得水溶性的聚酰胺酸盐,向聚酰胺酸铵盐中掺杂纳米粒子,机械搅拌数小时,热亚胺化后制得。该水性聚酰亚胺纳米复合薄膜是一种具有优异绝缘性能的复合薄膜,可以作为大型电机的匝间绕包材料,将聚酰亚胺做成水性聚酰亚胺可以解决聚酰亚胺易水解而变质的问题,纳米粒子的掺入可以有效提高薄膜的绝缘性能。
一种二维纳米二硫化钨半导体薄膜及其制备方法.pdf
本发明公开了一种二维纳米二硫化钨半导体薄膜的制备方法,包括:将三氧化钨放入陶瓷舟内,并将陶瓷舟置于石英管腔室内;将滴有石墨烯量子点的蓝宝石衬底正面朝下放在陶瓷舟内;将陶瓷舟放置于管式炉中的高温恒温区中央位置;将硫粉放入陶瓷舟内,并放置于管式炉中的低温区;连接真空泵抽真空,以保证石英管腔室的空气被排尽;将管式炉在第一预定时间内加热至第一预定温度,恒温反应第二预定时间,得到二硫化钨半导体薄膜。本发明还公开了一种二维纳米二硫化钨半导体薄膜。本发明利用柠檬酸热解法制备出尺寸均匀的石墨烯量子点。石墨烯量子点作为二硫