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(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN101950688A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN101950688A(43)申请公布日2011.01.19(21)申请号201010530507.X(22)申请日2010.11.04(71)申请人南通华冠电子科技有限公司地址226009江苏省南通市南通经济技术开发区广州路36号(72)发明人张方亭(74)专利代理机构上海申汇专利代理有限公司31001代理人翁若莹(51)Int.Cl.H01G9/055(2006.01)权利要求书1页说明书3页(54)发明名称用于铝电解电容器的中高压阳极铝箔的制造方法(57)摘要本发明公开了一种用于铝电解电容器的中高压阳极铝箔的制造方法,依次包括如下步骤:1)光箔预处理;2)先将光箔放入氯离子和硫酸根离子比例为5~15:1的酸性溶液中,施加电流密度为60~100mA/cm2的交流电流进行一次腐蚀发孔;然后再放入氯离子和硫酸根离子比例为1:9.5~16的酸性溶液中,施加电流密度为250~300mA/cm2直流电流进行一次腐蚀发孔;3)一次清洗后在酸性溶液中进行二次腐蚀扩孔;4)二次清洗、干燥炉烘干后得腐蚀箔成品;5)化成处理后得中高压阳极铝箔成品。本发明提供的用于铝电解电容器的中高压阳极铝箔的制造方法,先采用交流电流对光箔表面位错和缺陷部分进行点蚀,再采用直流电流进行一次腐蚀发孔,不但减少发热,防止铝箔因发热变形,而且提高了铝箔的扩面率,大幅度提高了其比容。CN109568ACCNN110195068801950692A权利要求书1/1页1.一种用于铝电解电容器的中高压阳极铝箔的制造方法,其特征在于,所述方法依次包括如下步骤:1)光箔预处理;2)先将光箔放入氯离子和硫酸根离子比例为5~15:1的酸性溶液中,施加电流密度为60~100mA/cm2的交流电流进行一次腐蚀发孔;然后再放入氯离子和硫酸根离子比例为1:9.5~16的酸性溶液中,施加电流密度为250~300mA/cm2直流电流进行一次腐蚀发孔;3)一次清洗后在酸性溶液中进行二次腐蚀扩孔;4)二次清洗、干燥炉烘干后得腐蚀箔成品;5)化成处理后得中高压阳极铝箔成品。2.如权利要求1所述的用于铝电解电容器的中高压阳极铝箔的制造方法,其特征在于,所述一次腐蚀发孔的酸性溶液含有浓度为2~15%盐酸,浓度为2~10%硫酸。3.如权利要求1所述的用于铝电解电容器的中高压阳极铝箔的制造方法,其特征在于,所述二次扩孔的酸性溶液为盐酸、硝酸、磷酸的一种或其组合物。4.如权利要求1所述的用于铝电解电容器的中高压阳极铝箔的制造方法,其特征在于,所述二次扩孔的酸性溶液中含有添加剂聚苯乙烯磺酸钠、聚乙二醇、羧甲基纤维素钠、硫脲的一种或其它们的混合物。5.如权利要求1至4所述的任一用于铝电解电容器的中高压阳极铝箔的制造方法,其特征在于,所述光箔厚度为65~130um。2CCNN110195068801950692A说明书1/3页用于铝电解电容器的中高压阳极铝箔的制造方法技术领域[0001]本发明涉及一种阳极铝箔的制造方法,尤其涉及一种用于铝电解电容器的中高压阳极铝箔的制造方法。背景技术[0002]随着电子工业的飞速发展,铝电解电容器的应用更加广泛,性能要求也越来越高。铝电解电容器用腐蚀化成箔是电子信息产业基础元器件类产品的电子主要材料,中高压铝电解电容器铝箔市场供不应求。作为额定电压超过200V的中高压电解电容器用腐蚀化成箔,质量要求高、生产难度大,国内只有少数厂家生产,但性能满足不了用户的使用要求,因而迫切要求在保证腐蚀铝箔弯折强度的前提下比容不断提高。高压电解电容器阳极用腐蚀箔的比容更是制约高压大容量电解电容器体积的关键所在。[0003]除了光箔自身质量外,对于铝电解电容用铝箔,腐蚀工艺是获得高比容、高强度等优异性能的关键工艺环节。腐蚀是化成箔制造的前道工序。腐蚀箔比容是化成箔比容的基础和关键。为获得满意性能,腐蚀工艺多种多样,但有些工艺在获得优良性能的同时却带入了令人头痛的环保问题(如铬酸-氢氟酸体系)。为此,人们致力于高性能环保型的腐蚀工艺开发研究。近年来,国内以盐酸-硫酸或盐酸-硫酸-硝酸为代表的腐蚀工艺体系使腐蚀铝箔比容发生了质的飞跃,性能得以大幅提高。[0004]一般来说,阳极铝箔的制造方法如下:光箔->腐蚀箔->化成。其中,腐蚀箔的制造工艺如下:光箔预处理、一次腐蚀发孔、清洗、二次腐蚀扩孔、清洗、清洗后处理、干燥炉烘干、腐蚀箔成品。在一次腐蚀发孔时,光箔从铜滚送入酸液槽进行直流电解腐蚀,直流电流一般大于5000A,因此容易导致光箔发热膨胀变形,从而影响腐蚀效果。此外,铜滚是消耗品,发热会影响铜滚使用寿命,增加生产成本。发明内容[0005]本发明所要解决的技术问题是提供一种用于铝电解电容器的中高压阳极