多晶硅还原炉硅芯夹持装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102219217A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102219217A(43)申请公布日2011.10.19(21)申请号201110144906.7(22)申请日2011.05.31(71)申请人四川新光硅业科技有限责任公司地址614000四川省乐山市市中区车子镇乐高大道2号(72)发明人张维王岭刘勇周华丽(74)专利代理机构四川力久律师事务所51221代理人刘雪莲林辉轮(51)Int.Cl.C01B33/03(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图2页(54)发明名称多晶硅还原炉硅芯夹持装置(57)摘要本发明涉及一种夹持装置，具体地说涉及多晶硅还原炉硅芯夹持装置，属于多晶硅生产技术领域。本发明的多晶硅还原炉硅芯夹持装置，包括卡瓣、盖子和底座，卡瓣通过盖子安装在底座上，盖子通过螺纹与底座连接，所述卡瓣包括上部的圆锥台和下部的圆柱体，所述圆柱体的直径大于圆锥台底面的直径，所述卡瓣的中心设有垂直的圆孔，所述圆孔与圆锥台同轴心。本发明结构稳定、能紧密包裹硅芯，防止硅芯根部发生逆腐蚀而倒棒，对整个还原生产倒棒率的减少极为有效。CN10297ACCNN110221921702219226A权利要求书1/1页1.一种多晶硅还原炉硅芯夹持装置，包括卡瓣、盖子和底座，卡瓣的中心设有垂直的圆孔，卡瓣通过盖子安装在底座上，盖子通过螺纹与底座连接，其特征在于：所述卡瓣包括上部的圆锥台和下部的圆柱体，所述圆柱体的直径大于圆锥台底面的直径。2.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉硅芯夹持装置，其特征在于：卡瓣中心设置的圆孔与圆锥台及圆柱体同轴心。3.根据权利要求2所述的多晶硅还原炉硅芯夹持装置，其特征在于：所述卡瓣的圆锥台部分设有垂直的十字形切口，十字形切口的中心线与圆孔的轴心重合。4.根据权利要求3所述的多晶硅还原炉硅芯夹持装置，其特征在于：所述十字形切口的宽度为1.5-3mm。5.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉硅芯夹持装置，其特征在于：所述盖子为石墨盖子。6.根据权利要求5所述的多晶硅还原炉硅芯夹持装置，其特征在于：所述石墨盖子为高纯石墨等静压成型制得。7.根据权利要求5或6所述的多晶硅还原炉硅芯夹持装置，其特征在于：所述石墨盖子的直径为110-130mm。8.根据权利要求5或6所述的多晶硅还原炉硅芯夹持装置，其特征在于：所述石墨盖子的高度为60-80mm。9.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉硅芯夹持装置，其特征在于：所述座子为石墨座子。10.根据权利要求9所述的多晶硅还原炉硅芯夹持装置，其特征在于：所述石墨座子为高纯石墨等静压成型制得。11.根据权利要求9或10所述的多晶硅还原炉硅芯夹持装置，其特征在于：所述石墨座子的直径为75-85mm。12.根据权利要求9或10所述的多晶硅还原炉硅芯夹持装置，其特征在于：高度为60-80mm。13.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉硅芯夹持装置，其特征在于：所述卡瓣为石墨卡瓣。14.根据权利要求13所述的多晶硅还原炉硅芯夹持装置，其特征在于：所述石墨卡瓣的圆锥台部分和圆柱体部分是一整体。2CCNN110221921702219226A说明书1/3页多晶硅还原炉硅芯夹持装置技术领域[0001]本发明涉及一种夹持装置，具体地说涉及多晶硅还原炉硅芯夹持装置，属于多晶硅生产技术领域。背景技术[0002]高纯多晶硅是电子工业和太阳能光伏产业的基础原料，随着信息技术和太阳能产业的飞速发展，全球对多晶硅的需求增长迅猛，市场供不应求。目前，国际上多晶硅生产技术70%以上使用的是改良西门子法。改良西门子法生产多晶硅主要是采用高纯三氯氢硅和高纯氢按照一定的配比混合在一起构成原料混合气体，通入还原炉反应器中，在加热电极上的硅芯表面被加热至1100℃左右，三氯氢硅和氢气发生还原反应，生成多晶硅并不断沉积在硅芯上，使该硅芯的直径逐渐变粗而形成多晶硅棒。[0003]在多晶硅生长过程中，需要将硅芯很好地固定，以确保多晶硅生长过程顺利完成，一般都用夹持装置对硅芯进行固定。硅芯夹持装置对整个多晶硅还原生产运行的影响非常大，若夹持装置结构设置不合理，在多晶硅还原生产过程中，随着反应生成的多晶硅在硅芯表面的生长，多晶硅棒的重量逐渐增加，在还原炉内气体流场和多晶硅棒自重的共同作用下，极易出现硅芯受力不均匀出现倒棒现象发生而意外停炉，在很大程度上影响了还原反应的产量、产品质量等。由此，采用新型的硅芯夹持装置成为现阶段研究重点。[0004]中国专利200920229097公开了一种夹持装置，包括石墨卡瓣、石墨帽和石墨座，石墨卡瓣通过石墨帽安装在石墨座上，石墨帽通过螺纹与石墨座连接。石墨卡瓣中心设有垂直的圆孔和十字槽，石墨卡瓣中圆孔的轴线和十字槽的中心线重合。由于该夹持装置的石墨卡瓣为圆锥台状，