新型多晶硅芯棒拉制方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN105970288A(43)申请公布日2016.09.28(21)申请号201610453071.6(22)申请日2016.06.22(71)申请人江苏拜尔特光电设备有限公司地址214264江苏省无锡市宜兴市芳桥街道工业集中区(72)发明人袁玉平闫鹏袁佳斌(74)专利代理机构宜兴市天宇知识产权事务所(普通合伙)32208代理人丁骞(51)Int.Cl.C30B29/06(2006.01)C30B28/10(2006.01)权利要求书1页说明书2页(54)发明名称新型多晶硅芯棒拉制方法(57)摘要本发明涉及一种新型多晶硅芯棒拉制方法，它包括检查多晶硅料纯度指标和尺寸，掺杂剂纯度，然后选择晶向好且无机械损伤的籽晶装入清理过的炉膛中；将炉体内抽真空，通入氩气；将原料多晶硅装入炉体中形成硅填料，加热熔化形成硅熔体；使籽晶与所述硅熔体接触，进行两次拉晶。本发明控制精确，大大提高成品率。CN105970288ACN105970288A权利要求书1/1页1.新型多晶硅芯棒拉制方法，其特征在于：它包括以下步骤，（1）检查多晶硅料纯度指标和尺寸，掺杂剂纯度，然后选择晶向好且无机械损伤的籽晶装入清理过的炉膛中；（2）将炉体内抽真空，通入氩气；（3）将原料多晶硅装入炉体中形成硅填料，加热熔化形成硅熔体；（4）使籽晶与所述硅熔体接触，在炉压2200-2500Pa，炉温300-320℃进行第一次拉晶，晶棒转速10转/分，晶棒头部拉速0.8mm/分，拉速从晶棒头部至晶棒中部降低25-35%，然后匀速拉制至尾部；（5）将晶棒冷却到40-60℃后，进行第二次拉晶，炉压2200-2500Pa，炉温300-320℃，晶棒转速12转/分，晶棒头部拉速1mm/分，拉速从晶棒头部至晶棒中部降低25-35%，然后匀速拉制至尾部。2.根据权利要求1所述的新型多晶硅芯棒拉制方法，其特征在于：在步骤（4）中，拉速从晶棒头部至晶棒中部600mm处降低30%。3.根据权利要求1所述的新型多晶硅芯棒拉制方法，其特征在于：在步骤（5）中，拉速从晶棒头部至晶棒中部600mm处降低30%。2CN105970288A说明书1/2页新型多晶硅芯棒拉制方法技术领域[0001]本发明涉及一种拉制方法，具体涉及一种多晶硅芯棒拉制方法。背景技术[0002]目前，多晶硅芯棒拉制成型比较简单，要确保内部没有隐裂非常困难，正常拉晶方法是头部拉速高-逐渐降低-尾部拉速低，这种方法拉制成品率不到30%。发明内容[0003]发明目的：本发明的目的是为了克服现有技术中的不足，提供一种控制精确，大大提高成品率的新型多晶硅芯棒拉制方法。[0004]技术方案：为了解决上述技术问题，本发明所述的新型多晶硅芯棒拉制方法，它包括以下步骤，（1）检查多晶硅料纯度指标和尺寸，掺杂剂纯度，然后选择晶向好且无机械损伤的籽晶装入清理过的炉膛中；（2）将炉体内抽真空，通入氩气；（3）将原料多晶硅装入炉体中形成硅填料，加热熔化形成硅熔体；（4）使籽晶与所述硅熔体接触，在炉压2200-2500Pa，炉温300-320℃进行第一次拉晶，晶棒转速10转/分，晶棒头部拉速0.8mm/分，拉速从晶棒头部至晶棒中部降低25-35%，然后匀速拉制至尾部；（5）将晶棒冷却到40-60℃后，进行第二次拉晶，炉压2200-2500Pa，炉温300-320℃，晶棒转速12转/分，晶棒头部拉速1mm/分，拉速从晶棒头部至晶棒中部降低25-35%，然后匀速拉制至尾部。[0005]根据权利要求1所述的新型多晶硅芯棒拉制方法，其特征在于：在步骤（4）中，拉速从晶棒头部至晶棒中部600mm处降低30%。[0006]根据权利要求1所述的新型多晶硅芯棒拉制方法，其特征在于：在步骤（5）中，拉速从晶棒头部至晶棒中部600mm处降低30%。[0007]有益效果：本发明与现有技术相比，其显著优点是：本发明通过两次拉晶，生产出的晶棒品质更好，并且在两次拉晶过程中的拉速，从晶棒头部至晶棒中部600mm处降低30%，拉制成品率高达98以上，解决了以前隐裂的问题，拉制过程中，温度压力、拉速转速控制精确，步骤严谨，符合实际生产要求。具体实施方式[0008]下面结合实施例对本发明作进一步的说明。[0009]实施例1：本发明所述的新型多晶硅芯棒拉制方法，它包括以下步骤，（1）检查多晶硅料纯度指标和尺寸，掺杂剂纯度，然后选择晶向好且无机械损伤的籽晶3CN105970288A说明书2/2页装入清理过的炉膛中；（2）将炉体内抽真空，通入氩气；（3）将原料多晶硅装入炉体中形成硅填料，加热熔化形成硅熔体；（4）使籽晶与所述硅熔体接触，在炉压2300Pa，炉温310℃进行第一次拉晶，晶棒转速10转/分，晶棒头部拉速0.8mm/分