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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106676625A(43)申请公布日2017.05.17(21)申请号201710092523.7(22)申请日2017.02.21(71)申请人洛阳金诺机械工程有限公司地址471000河南省洛阳市国家高新技术开发区金鑫路2号(72)发明人刘朝轩(51)Int.Cl.C30B27/02(2006.01)C30B29/06(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图6页(54)发明名称一种用于硅芯拉制的吹气装置(57)摘要一种用于硅芯拉制的吹气装置,涉及人工晶体领域,本发明环绕每一根硅芯设置一个吹气嘴(6),吹气嘴上开设多个吹气孔(11),使从吹气孔吹出的气体沿多个方向均匀吹向每根硅芯,本发明解决了现有技术中硅芯冷却不均匀的问题。硅芯的快速均匀冷却可以提高晶体的拉制速度、增加所拉制的硅芯的直径,而硅芯直径的加大,又使其后期在还原炉内的生长速度加快,由此提高了生产效率。CN106676625ACN106676625A权利要求书1/1页1.一种用于硅芯拉制的吹气装置,包括进气管(1)、吹气嘴(6)和吹气孔(11),其特征在于:环绕每一根硅芯设置一个吹气嘴(6),吹气嘴(6)上开设多个吹气孔(11),使从吹气孔(11)吹出的气体沿多个方向均匀吹向每根硅芯。2.如权利要求1所述的吹气装置,其特征在于:在所述吹气嘴(6)的上游设置一个或多个进气通道,通过连接管(5)将吹气嘴(6)与进气通道相连通,所述的多个进气通道之间通过多个进气孔(15)相互连通,使进入吹气装置的气流在所述的进气通道及吹气嘴(6)内重新分布。3.如权利要求2所述的吹气装置,其特征在于:所述的进气通道为多个平行叠置的环形通道,冷却气体经进气管(1)进入之后,由第一进气通道(13)进入第二进气通道(14),再经连接管(5)进入第三进气通道(16),后由吹气孔(11)吹向硅芯。4.如权利要求3所述的吹气装置,其特征在于:第一进气通道(13)和第二进气通道(14)均设置在圆环形的吹气环(4)内,第一进气通道(13)设置在吹气环(4)的上方,第二进气通道(14)设置在吹气环(4)的下方,通过多个进气孔(15)相互连通。5.如权利要求4所述的吹气装置,其特征在于:所述的若干个吹气嘴(6)设置在吹气环(4)下方,第三进气通道(16)位于吹气嘴(6)内部,通过连接管(5)将其与第二进气通道(14)相连通,吹气孔(11)设置在吹气嘴(6)上,对准硅芯的结晶区。6.如权利要求4所述的吹气装置,其特征在于:吹气环(4)具有一开口A(8),该开口A(8)与第一进气通道(13)及第二进气通道(14)端部相对应的位置设有排污口,在排污口处设有封堵螺钉(7)。7.如权利要求4所述的吹气装置,其特征在于:所述吹气环(4)上设有若干个固定柱(3),用于安装导心板。2CN106676625A说明书1/4页一种用于硅芯拉制的吹气装置[0001]【技术领域】本发明涉及人工晶体领域,具体涉及一种用于硅芯拉制时提高硅芯结晶速度的吹气装置。[0002]【背景技术】在现有技术的硅芯拉制过程中,一般使用籽晶进行引晶。待引晶完成后再进行硅芯的拉制。在此过程中,籽晶需要借助籽晶夹头夹持。待高频线圈将原料棒的端头局部融化成液体后,籽晶夹头带动籽晶下降,穿过高频线圈的拉制孔后插入原料棒上端的溶液内。随后通过籽晶夹头带动籽晶上升,籽晶带动溶液上升并重新结晶,最终形成所需长度的硅芯。[0003]在籽晶带着融液上升的过程中,当融液离开高频线圈的拉制孔后会逐渐冷却并重新结晶。此时带动籽晶上升的上轴的提升速度较慢,拉制直径为&8mm的硅芯时,上轴的提升速度为14mm/min,拉制直径为&10mm的硅芯时,上轴的提升速度为12mm/min,拉制硅芯的直径一般都在&8~&10mm之间。所拉制的硅芯直径越大,其后期在还原炉内的生长速度越快,生产效率越高,所以如何提高硅芯的生产效率和增大硅芯的直径就成了本领域的技术诉求之一。[0004]针对上述技术问题,申请人提出过“一种拉制硅芯时提高硅芯结晶速度的装置”的专利申请(专利申请号为201410175547.5、申请日为2014年04月21日、公开号为CN105002556A)。该申请借助于一吹气装置(具体结构详见附图1),有效的提高了硅芯的结晶速度,该申请在本申请中被用作参考。[0005]上述专利申请虽然解决了硅芯结晶速度慢的问题,但在拉制硅芯的过程中由于连续吹气的不稳定性,会导致新拉制的硅芯结晶速度不一致,影响晶体质量。[0006]【发明内容】经研究,申请人认为导致新拉制的硅芯结晶速度不一致的主要原因是吹气装置吹向硅芯的气流分布不均匀,从而造成硅芯结晶速度的差异。[0007]本发明提供了一种用于硅芯拉制时提高硅芯结