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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111520999A(43)申请公布日2020.08.11(21)申请号202010290596.9(22)申请日2020.04.14(71)申请人北京北方华创微电子装备有限公司地址100176北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道8号(72)发明人杨慧萍杨帅(74)专利代理机构北京思创毕升专利事务所11218代理人孙向民廉莉莉(51)Int.Cl.F27B1/04(2006.01)F27B1/12(2006.01)F27B1/14(2006.01)F27D1/18(2006.01)H01L21/67(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图4页(54)发明名称一种立式炉设备(57)摘要本发明公开了一种立式炉设备,包括:炉体、位于炉体内的工艺管、位于工艺管中的晶舟以及设置于工艺管的底部的工艺门,还包括位于工艺管内的保温装置,保温装置包括:第一保温区,第一保温区包括多个沿工艺管轴向间隔设置的第一保温插片;第二保温区,设置与第一保温区上方,且第二保温区包括多个沿工艺管轴向间隔设置的第二保温插片;盖板,分隔第一保温区与第二保温区;环形罩,设置于盖板上方,并环绕于多个第二保温插片的外周,环形罩的顶面用于支撑晶舟;保温基座组件,位于工艺门上方且设置于第一保温区内,用于支撑多个第二保温插片,且保温基座组件与盖板固定连接。CN111520999ACN111520999A权利要求书1/1页1.一种立式炉设备,包括:炉体、位于所述炉体内的工艺管、位于所述工艺管中的晶舟以及设置于所述工艺管的底部的工艺门,其特征在于,还包括位于所述工艺管内的保温装置,所述保温装置包括:第一保温区,所述第一保温区包括多个沿所述工艺管轴向间隔设置的第一保温插片;第二保温区,设置与所述第一保温区上方,且所述第二保温区包括多个沿所述工艺管轴向间隔设置的第二保温插片;盖板,分隔所述第一保温区与所述第二保温区;环形罩,设置于所述盖板上方,并环绕于多个所述第二保温插片的外周,所述环形罩的顶面用于支撑所述晶舟;保温基座组件,位于所述所述工艺门上方且设置于所述第一保温区内,用于支撑多个所述第二保温插片,且所述保温基座组件与所述盖板固定连接。2.根据权利要求1所述的立式炉设备,其特征在于,所述盖板上设有第一锁扣结构,所述环形罩上设有第二锁扣结构,所述第一锁扣结构和所述第二锁扣结构相互配合实现所述盖板与所述环形罩的连接。3.根据权利要求2所述的立式炉设备,其特征在于,所述第一锁扣结构为沿所述盖板周向分布的至少两个定位凸块或至少两个定位凹槽,所述第二锁扣结构为与所述定位凸块或所述定位凹槽对应且配合设置的配合凹槽或配合凸块,所述环形罩通过旋转的方式实现与所述盖板的锁紧与解锁。4.根据权利要求1所述的立式炉设备,其特征在于,所述环形罩的顶面为环形平面。5.根据权利要求1所述的立式炉设备,其特征在于,所述环形罩的材质为碳化硅;和/或多个所述第二保温插片的材质均为碳化硅,或者,一部分所述第二保温插片的材质为碳化硅,另一部分所述第二保温插片的材质为石英。6.根据权利要求1所述的立式炉设备,其特征在于,所述保温基座组件包括底板和设置于所述底板上方的支撑杆,所述支撑杆贯穿所述第一保温插片以固定所述第一保温插片,所述支撑杆的顶端与所述盖板固定连接。7.根据权利要求6所述的立式炉设备,其特征在于,所述盖板与所述保温基座组件均由石英材料制成。8.根据权利要求1所述的立式炉设备,其特征在于,所述第一保温插片和所述第二保温插片均为圆片状,所述第一保温插片的直径大于所述第二保温插片的直径。9.根据权利要求6所述的立式炉设备,其特征在于,所述支撑杆为四个,且四个所述支撑杆在所述底板上均匀分布。10.根据权利要求1所述的立式炉设备,其特征在于,所述晶舟与所述环形罩通过碳化硅螺钉连接。2CN111520999A说明书1/5页一种立式炉设备技术领域[0001]本发明涉及半导体设备领域,更具体地,涉及一种立式炉设备。背景技术[0002]立式炉是用于半导体硅片加工的一种工艺设备。硅片加工工艺是一种非常精密的工艺,温度是硅片加工工艺中非常重要的指标,该指标直接影响硅片膜厚的厚度和均匀性。目前高温立式炉工艺温度可达1200℃。为了保证腔室内晶圆位置的恒温,需要有效的保温结构确保晶圆工艺时的上下温度一致均匀性。另一方面,一般而言腔室底部结构中设置有密封部件,过高的温度会导致密封部件失效,破坏腔室密封环境,进而使得晶圆质量受损。[0003]为保证立式炉热反应管内温度的稳定,并提高保温效果,在立式炉内设置了保温装置。保温装置位于炉体热反应管的下部,用于支撑石英舟,并且提供保温的功效。同时,保温装置结构通过减少热量从腔室的上部传递至底部,可同时保证腔室内晶