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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111908433A(43)申请公布日2020.11.10(21)申请号202010686441.7(22)申请日2020.07.16(71)申请人深圳大学地址518060广东省深圳市南山区南海大道3688号(72)发明人李煜郑博方张晗李峰(74)专利代理机构深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙)44268代理人温宏梅谢松(51)Int.Cl.C01B19/04(2006.01)B82Y40/00(2011.01)B82Y30/00(2011.01)权利要求书1页说明书5页附图3页(54)发明名称一种硒化亚锡纳米片中硒空位缺陷的修复方法(57)摘要本发明涉及一种硒化亚锡纳米片中硒空位缺陷的修复方法,其包括步骤:提供具有硒空位缺陷的硒化亚锡纳米片以及硒粉;将所述具有硒空位缺陷的硒化亚锡纳米片置于双温区管式炉的载气下游的加热段中,同时,将所述硒粉置于所述双温区管式炉的载气上游的加热段中;在惰性气体的保护下,对所述双温区管式炉的载气上游的加热段进行加热,使所述载气上游的加热段的温度达到第一预设阀值,其后,对所述双温区管式炉的载气下游的加热段进行加热,使所述载气下游的加热段的温度达到第二预设阀值,并进行保温处理,即得到硒空位缺陷修复后的硒化亚锡纳米片。本发明通过对硒化亚锡纳米片中的硒空位缺陷进行修复,有效提高了硒化亚锡纳米片的电导率。CN111908433ACN111908433A权利要求书1/1页1.一种硒化亚锡纳米片中硒空位缺陷的修复方法,其特征在于,包括步骤:提供具有硒空位缺陷的硒化亚锡纳米片以及硒粉;将所述具有硒空位缺陷的硒化亚锡纳米片置于双温区管式炉的载气下游的加热段中,同时,将所述硒粉置于所述双温区管式炉的载气上游的加热段中;在惰性气体的保护下,对所述双温区管式炉的载气上游的加热段进行加热,使所述载气上游的加热段的温度达到第一预设阀值,其后,对所述双温区管式炉的载气下游的加热段进行加热,使所述载气下游的加热段的温度达到第二预设阀值,并进行保温处理,即得到硒空位缺陷修复后的硒化亚锡纳米片。2.根据权利要求1所述的硒化亚锡纳米片中硒空位缺陷的修复方法,其特征在于,将所述具有硒空位缺陷的硒化亚锡纳米片置于双温区管式炉的载气下游的加热段中的步骤具体包括:将依附在衬底上的所述具有硒空位缺陷的硒化亚锡纳米片放置在石英舟中,其后,将所述石英舟放置于双温区管式炉的载气下游的加热段中。3.根据权利要求2所述的硒化亚锡纳米片中硒空位缺陷的修复方法,其特征在于,所述衬底为硅片、蓝宝石或云母中的一种。4.根据权利要求1所述的硒化亚锡纳米片中硒空位缺陷的修复方法,其特征在于,将所述硒粉置于所述双温区管式炉的载气上游的加热段中的步骤具体包括:将硒粉放置于坩埚中,其后,将所述坩埚放置于所述双温区管式炉的载气上游的加热段中。5.根据权利要求4所述的硒化亚锡纳米片中硒空位缺陷的修复方法,其特征在于,所述硒粉的纯度为99.99%。6.根据权利要求1所述的硒化亚锡纳米片中硒空位缺陷的修复方法,其特征在于,所述第一预设阀值为300~350℃。7.根据权利要求1所述的硒化亚锡纳米片中硒空位缺陷的修复方法,其特征在于,所述第二预设阀值为600~700℃。8.根据权利要求1所述的硒化亚锡纳米片中硒空位缺陷的修复方法,其特征在于,所述保温处理的时间为5~20min。9.根据权利要求1所述的硒化亚锡纳米片中硒空位缺陷的修复方法,其特征在于,所述提供的具有硒空位缺陷的硒化亚锡纳米片采用物理气相沉积法制备而成。10.根据权利要求1所述的硒化亚锡纳米片中硒空位缺陷的修复方法,其特征在于,所述提供的具有硒空位缺陷的硒化亚锡纳米片采用锂离子插层法制备而成。2CN111908433A说明书1/5页一种硒化亚锡纳米片中硒空位缺陷的修复方法技术领域[0001]本发明涉及纳米材料领域,尤其涉及一种硒化亚锡纳米片中硒空位缺陷的修复方法。背景技术[0002]硒化亚锡(SnSe)是一种P型半导体材料,间接带隙值为0.90ev,直接带隙值为1.30ev,且带隙可进行调节,因此,硒化亚锡在光电器件、光伏器件及太阳能电池方面有广泛的应用,同时,硒化亚锡有着优异的热电性能,在热电器件方面也有着广泛的应用前景。[0003]目前,二维的硒化亚锡纳米材料的常见制备方法有机械剥离法与物理气相沉积法(PVD),其中,采用物理气相沉积法是以粉末状硒化亚锡为原材料,在氩气保护及高温条件下,将粉末状硒化亚锡沉积在衬底(硅片、蓝宝石及云母等)上,但在高温条件下,硒化亚锡纳米材料中的Se元素容易析出,导致所制备的硒化亚锡纳米材料中存在大量的Se空缺缺陷,Sn与Se的比例大于1,而Se空位缺陷的存在,会在硒化亚锡纳米材料中形成电子波散射中心,减小