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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112815713A(43)申请公布日2021.05.18(21)申请号202110195604.6(22)申请日2021.02.19(71)申请人青岛赛瑞达电子装备股份有限公司地址266000山东省青岛市高新区华东路826号(72)发明人宋立禄张海林吴季浩滕玉朋刘国霞(51)Int.Cl.F27D1/10(2006.01)F27D1/18(2006.01)F27D7/06(2006.01)F27D11/10(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图4页(54)发明名称一种带门的高温硅钼棒加热炉膛结构(57)摘要本发明属于高温硅钼棒生产技术领域,尤其是一种带门的高温硅钼棒加热炉膛结构,包括主壳体,所述主壳体的内部设置有空腔,且空腔的内壁设置有加热器B,所述加热器B成U型结构,所述空腔位于加热器B上方和下方的内壁均设置有加热器A,所述加热器A呈W型结构,所述加热器A和加热器B的两端均设置有加热器电极,所述加热器A的外壁设置有第一热偶,所述加热器B的外壁设置有第二热偶。本发明有效的实现了低成本高温度的设计,并且既可以在有氧环境使用,也可以在空气中使用,使用中无需密封、通气和真空保护加热器,加热器A与加热器B产品可以实现1700℃以下的加热能力,满足碳化硅的加热需求。CN112815713ACN112815713A权利要求书1/1页1.一种带门的高温硅钼棒加热炉膛结构,包括主壳体(11),其特征在于,所述主壳体(11)的内部设置有空腔,且空腔的内壁设置有加热器B(13),所述加热器B(13)成U型结构,所述空腔位于加热器B(13)上方和下方的内壁均设置有加热器A(4),所述加热器A(4)呈W型结构,所述加热器A(4)和加热器B(13)的两端均设置有加热器电极(9),所述加热器A(4)的外壁设置有第一热偶(5),所述加热器B(13)的外壁设置有第二热偶(7)。2.根据权利要求1所述的一种带门的高温硅钼棒加热炉膛结构,其特征在于,所述主壳体(11)的内壁设置有主体保温层(10),且主体保温层(10)的材质为岩棉。3.根据权利要求1所述的一种带门的高温硅钼棒加热炉膛结构,其特征在于,所述主壳体(11)的底部外壁开设有炉膛口,且炉膛口的内壁设置有炉管(3),所述炉管(3)的底端设置有炉门(2),所述炉管(3)的一端开设有进气孔,所述进气孔的内壁设置有进气管(1)。4.根据权利要求1所述的一种带门的高温硅钼棒加热炉膛结构,其特征在于,所述主壳体(11)的一侧外壁开设有检修口,且检修口的内壁设置有炉门合页(16),所述主壳体(11)通过炉门合页(16)连接有炉门壳体(14)。5.根据权利要求4所述的一种带门的高温硅钼棒加热炉膛结构,其特征在于,所述炉门壳体(14)为中空材质,且炉门壳体(14)的内部设置有炉门保温层(12)。6.根据权利要求5所述的一种带门的高温硅钼棒加热炉膛结构,其特征在于,所述炉门壳体(14)远离炉门合页(16)的一端设置有炉门螺栓(15),且炉门壳体(14)通过炉门螺栓(15)与主壳体(11)相连接。7.根据权利要求1所述的一种带门的高温硅钼棒加热炉膛结构,其特征在于,所述加热器电极(9)的外表面套接有绝缘套(8),且绝缘套(8)为橡胶材质。2CN112815713A说明书1/3页一种带门的高温硅钼棒加热炉膛结构技术领域[0001]本发明涉及高温硅钼棒生产技术领域,尤其涉及一种带门的高温硅钼棒加热炉膛结构。背景技术[0002]SiC作为第三代半导体材料的典型代表,是高温、高频、抗辐射、大功率应用场合下极为理想的半导体材料。[0003]SIC材料的扩散、氧化、退火等工艺过程其主要条件就是需要高温,高温加热炉膛是核心技术之一,现有的高温加热炉膛一般为第二代半导体设备,当需要加热高温为1400℃‑2000℃,这是以往工作温度为800‑1200℃的第二代半导体设备的加热器所不能实现的,所以亟需一种带门的高温硅钼棒加热炉膛结构来改变这一现状。发明内容[0004]基于现有技术中存在的技术问题,本发明提出了一种带门的高温硅钼棒加热炉膛结构。其优点在于有效的实现了低成本高温度的设计,并且既可以在有氧环境使用,也可以在空气中使用,使用中无需密封、通气和真空保护加热器,加热器A与加热器B产品可以实现1700℃以下的加热能力,满足碳化硅的加热需求。[0005]本发明提出的一种带门的高温硅钼棒加热炉膛结构,包括主壳体,所述主壳体的内部设置有空腔,且空腔的内壁设置有加热器B,所述加热器B成U型结构,所述空腔位于加热器B上方和下方的内壁均设置有加热器A,所述加热器A呈W型结构,所述加热器A和加热器B的两端均设置有加热器电极,所述加热器A的外壁设置有第一热偶,所述加热器B