一种三硒化二铟纳米带及其制备方法和应用.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112897478A(43)申请公布日2021.06.04(21)申请号202110170558.4(22)申请日2021.02.08(71)申请人广东工业大学地址510090广东省广州市越秀区东风东路729号(72)发明人简基康许静杨文龙何梓民(74)专利代理机构广州粤高专利商标代理有限公司44102代理人陈嘉毅(51)Int.Cl.C01B19/04(2006.01)B82Y40/00(2011.01)权利要求书1页说明书6页附图4页(54)发明名称一种三硒化二铟纳米带及其制备方法和应用(57)摘要本发明公开了一种三硒化二铟纳米带及其制备方法和应用。所述制备方法，包括如下步骤：S1.在管式炉中，将硒源加热到220～360℃，将铟源加热到400～630℃；所述硒源为硒粉，所述铟源为负载氧化铟的衬底；S2.密封管式炉腔体并抽真空后，以流量为20～80sccm的氩气为载气，将管式炉腔体压强恢复至常压，再升温至900～980℃后，经过沉积、降温，得到所述三硒化二铟纳米带。本发明通过选择合适的硒源和铟源，通过化学气相沉积方法，在无催化剂辅助作用的情况下，在管式炉中制备得到了纳米带形貌的三硒化二铟材料。CN112897478ACN112897478A权利要求书1/1页1.一种三硒化二铟纳米带的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1.在管式炉中，将硒源加热到220～360℃，将铟源加热到400～630℃；所述硒源为硒粉，所述铟源为负载氧化铟的衬底；S2.密封管式炉的腔体并抽真空后，以流量为20～80sccm的氩气为载气，将管式炉腔体压强恢复至常压，再升温至900～980℃，经过沉积、降温，得到所述三硒化二铟纳米带。2.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，所述负载有氧化铟的衬底为ITO导电玻璃、负载氧化铟的石英玻璃或负载氧化铟的硅片。3.根据权利要求2所述制备方法，其特征在于，所述负载氧化铟的石英玻璃或负载氧化铟的硅片，通过如下方法制得：将氧化铟粉末分散于乙醇中，经超声处理后，涂覆于石英玻璃或硅片表面，干燥后即得到所述负载氧化铟的石英玻璃或负载氧化铟的硅片。4.根据权利要求3所述制备方法，其特征在于，所述氧化铟粉末与石英玻璃或硅片的质量比为1：(1.5～4)。5.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，S1中所述硒源的加热温度为325～340℃，铟源的加热温度为550～580℃。6.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，S2中所述氩气的流量为50sccm。7.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，S2中所述沉积为沉积3～10h。8.一种三硒化二铟纳米带，其特征在于，根据权利要求1～7任一项所述制备方法制得。9.根据权利要求8所述三硒化二铟纳米带，其特征在于，所述三硒化二铟纳米带的宽度为150～300nm，长度为10～30μm，厚度为25～35nm。10.权利要求8所述三硒化二铟纳米带在制备纳米器件中的应用。2CN112897478A说明书1/6页一种三硒化二铟纳米带及其制备方法和应用技术领域[0001]本发明涉及低维纳米材料技术领域，更具体的，涉及一种三硒化二铟纳米带及其制备方法和应用。背景技术[0002]三硒化二铟(In2Se3)是一种直接带隙半导体材料，其带隙为1.2～1.3eV，这种特殊的带隙宽度使其对紫外到可见光波长范围内的光都有一定的吸收。因此，In2Se3独特的晶体结构和物理性质可以使其在光电、存储器以及热电器件等领域中得到广泛应用。[0003]根据现有的文献报道，In2Se3纳米柱、纳米片以及纳米线的制备和性能研究已经有了很多的研究成果，其中采用化学气相法制备三硒化二铟纳米结构的报道较多。Feng等人(FengW,ZhengW,GaoF,etal.SensitiveElectronic‑SkinStrainSensorArrayBasedonthePatternedTwo‑Dimensionalα‑In2Se3[J].ChemistryofMaterials,2016,28(12).)以硒粉和氧化铟粉为原料，以H2/Ar混合气体作为载气将硒蒸气和氧化铟蒸气输送到下游云母衬底上，并在其衬底上形成三硒化二铟纳米片。中国专利申请CN108546994A公开了一种由云母或蓝宝石基底，以In2Se3粉末为前驱体，在氩气和/或氮气环境下制备二维In2Se3原子晶体的方法。Cheng等人(HsinCL,HuangJH,SpiewakP,etal.AnisotropyofthermalconductivityinIn2Se3nanostructures[J].AppliedSurfaceScience,2019,494(Nov.15):867‑870.)