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(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115513336A(43)申请公布日2022.12.23(21)申请号202211191699.5(22)申请日2022.09.28(71)申请人理想晶延半导体设备(上海)股份有限公司地址201620上海市松江区思贤路3255号3幢402(72)发明人桑雪岗章晖钟文兵戴虹奚明(74)专利代理机构上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙)31286专利代理师吴浩(51)Int.Cl.H01L31/18(2006.01)H01L31/0216(2014.01)H01L31/068(2012.01)权利要求书2页说明书8页附图2页(54)发明名称太阳电池隧穿氧化层的制备方法和太阳电池隧穿氧化层(57)摘要本发明提供了一种太阳电池隧穿氧化层及其制备方法,所述制备方法包括以下步骤:S1:将插入石墨舟的硅片置于恒温且真空的炉管内;S2:在所述炉管内通入氧气和氩气的混合气体或氧气,同时控制所述炉管内压力恒定;S3:对所述硅片进行辉光放电;S4:辉光放电完成后,将所述炉管抽真空;S5:使用氮气或氩气吹扫所述炉管;S6:吹扫完成后,将所述炉管抽真空;S7:使所述炉管内的压力恢复正常大气压;S8:将石墨舟从所述炉管里取出。本发明的太阳电池隧穿氧化层的制备方法能够精确控制隧穿氧化层的厚度,同时可以减少工艺时间和降低使用成本。CN115513336ACN115513336A权利要求书1/2页1.一种太阳电池隧穿氧化层的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S1:将插入石墨舟的硅片置于恒温且真空的炉管内;S2:在所述炉管内通入氧气和氩气的混合气体或氧气,同时控制所述炉管内压力恒定;S3:对所述硅片进行辉光放电;S4:辉光放电完成后,将所述炉管抽真空;S5:使用氮气或氩气吹扫所述炉管;S6:吹扫完成后,将所述炉管抽真空;S7:使所述炉管内的压力恢复正常大气压;S8:将石墨舟从所述炉管里取出。2.根据权利要求1所述的太阳电池隧穿氧化层的制备方法,其特征在于,所述将插入石墨舟的硅片置于恒温且真空的炉管内包括:S11:将插入石墨舟的硅片送入炉管;S12:将所述炉管内温度升高,并将所述炉管抽真空;S13:使所述炉管内保持恒温。3.根据权利要求2所述的太阳电池隧穿氧化层的制备方法,其特征在于,所述将插入石墨舟的硅片送入炉管包括,将插入石墨舟的硅片送入温度大于等于280℃,且小于等于320℃的炉管内。4.根据权利要求3所述的太阳电池隧穿氧化层的制备方法,其特征在于,所述将所述炉管内温度升高包括,将所述炉管内温度升温至大于等于300℃,且小于等于550℃。5.根据权利要求2所述的太阳电池隧穿氧化层的制备方法,其特征在于,所述将所述炉管抽真空包括,通过真空泵和蝶阀控制所述炉管内的压力小于60mtorr。6.根据权利要求2所述的太阳电池隧穿氧化层的制备方法,其特征在于,所述使所述炉管内保持恒温包括,使所述炉管内温度控制在大于等于300℃,且小于等于550℃。7.根据权利要求1所述的太阳电池隧穿氧化层的制备方法,其特征在于,所述在所述炉管内通入氧气和氩气的混合气体或氧气,同时控制所述炉管内压力恒定包括,在所述炉管内通入氧气和氩气的混合气体,其中所述氧气的流量大于等于100sccm,且小于等于15000sccm,所述氩气的流量大于0sccm,且小于等于15000sccm,同时通过真空泵和蝶阀控制炉管内压力大于等于300mtorr,且小于等于2500mtorr。8.根据权利要求1所述的太阳电池隧穿氧化层的制备方法,其特征在于,所述在所述炉管内通入氧气和氩气的混合气体或氧气,同时控制所述炉管内压力恒定包括,在所述炉管内通入流量大于等于100sccm,且小于等于15000sccm的氧气,同时通过真空泵和蝶阀控制炉管内压力大于等于300mtorr,且小于等于2500mtorr。9.根据权利要求7所述的太阳电池隧穿氧化层的制备方法,其特征在于,所述氧气和氩气混合气体中,所述氧气与所述氧气和氩气混合气体的流量比大于等于1%,且小于100%。10.根据权利要求7所述的太阳电池隧穿氧化层的制备方法,其特征在于,所述氧气和氩气混合气体中,所述氧气与所述氧气和氩气混合气体的流量比大于等于60%,且小于100%。11.根据权利要求1所述的太阳电池隧穿氧化层的制备方法,其特征在于,所述对所述硅片进行辉光放电的条件包括,温度大于等于300℃,且小于等于550℃,射频功率大于等于2CN115513336A权利要求书2/2页5Kw,且小于等于30Kw,射频脉冲开和关的时间比大于等于1:1,且小于等于1:5000,射频脉冲开和关交替进行下的总时间大于等于10s,且小于等于1000s,氧气流量大于等于100sccm,且小于等于15000sccm,氩