一种晶圆减薄高温临时粘结剂及其制备方法.pdf
是秋****写意
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一种晶圆减薄高温临时粘结剂及其制备方法.pdf
本发明涉及一种晶圆减薄高温临时粘结剂,按质量份计,由以下原料组成:溶剂65~85份、芳香族四羧酸二酐10~25份、芳香族二胺1~10份、抗氧剂0.01~0.5份、流平剂0.01~0.5份;本发明制备的晶圆减薄临时粘结剂,具有优异的流变性能,热稳定性高,抗腐蚀性强等优点,适用于晶圆减薄加工温度≥240℃的加工工艺的临时粘接。
一种晶圆减薄砂轮及其制备方法.pdf
本发明属于晶圆加工技术领域,具体涉及一种低密度晶圆减薄砂轮及其制备方法。所述减薄砂轮,包括如下体积份数的原料:金刚石12‑18份,碳化硅3‑7份,六方氮化硼2‑5份,发泡剂6‑10份,聚酰亚胺树脂35‑45份,偶联剂2‑5份。本发明通过制备一种砂轮低密度的减薄砂轮,此减薄砂轮在具有一定的强度下,降低总体磨料层硬度,减少磨削过程中的压应力,从而降低损伤层厚度,对薄晶片即3D封装技术中的晶圆减薄、操作设备老旧尤为适用;本发明制备的砂轮可以有效降低晶圆损伤层和裂纹,保证良品率。
一种用于制备半导体器件的晶圆及晶圆的背面减薄方法.pdf
本发明涉及一种用于制备半导体器件的晶圆,包括晶圆本体,晶圆本体的背面通过背面减薄形成凹槽,晶圆本体绕所述凹槽形成位于晶圆本体边缘的支撑环,支撑环的侧面即凹槽的内侧面为斜面。本发明的用于制备半导体器件的晶圆在背面N型曝光时光刻胶不易残留,从而避免退火时光刻胶对设备的影响。
一种晶圆减薄方法.pdf
本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种晶圆减薄方法,应用于一设备晶圆的背面,设备晶圆的正面与一承载晶圆连接;包括:步骤S1,采用一第一研磨工艺对设备晶圆的背面进行研磨,以将设备晶圆的背面减薄第一预设厚度;步骤S2,采用一第二研磨工艺对设备晶圆的背面进行研磨,以将设备晶圆的背面减薄第二预设厚度;其中,步骤S1中,第一研磨工艺为采用第一研磨液对设备晶圆的背面进行研磨;步骤S2中,第二研磨工艺为采用用于清除残留物的第二研磨液进行研磨;能够去除研磨产生的杂质和残留,同时避免氧化层和/或氮化层对研磨效果的影响,保证
晶圆湿法减薄方法.pdf
本申请涉及半导体集成电路制造技术领域,具体涉及一种用于提高晶圆刻蚀量一致性的晶圆湿法减薄方法。所述晶圆湿法减薄方法包括依次进行的以下步骤:获取刻蚀药液的累计使用时长变量与刻蚀速度变量之间的对应关系;获取当前目标晶圆,确定对所述当前目标晶圆进行湿法减薄工艺时,所述刻蚀药液的当前累计使用时长;基于所述刻蚀药液的所述当前累计使用时长,和所述对应关系,确定与所述刻蚀药液的所述当前累计使用时长对应的当前刻蚀速度;基于所述当前刻蚀速度和预设的刻蚀减薄量,计算出对所述当前目标晶圆进行湿法减薄工艺的当前刻蚀时长;使用所述