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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112203444A(43)申请公布日2021.01.08(21)申请号202010471597.3(22)申请日2020.05.29(30)优先权数据62/871,5942019.07.08US16/867,2002020.05.05US(71)申请人苹果公司地址美国加利福尼亚州(72)发明人J·A·柯伦T·S·明茨I·杨(74)专利代理机构北京市汉坤律师事务所11602代理人魏小薇吴丽丽(51)Int.Cl.H05K5/00(2006.01)C25F3/08(2006.01)权利要求书2页说明书11页附图11页(54)发明名称具有蚀刻表面的钛部件(57)摘要本公开提供了一种具有蚀刻表面的钛部件。本公开涉及一种用于便携式电子设备的部件。所述部件包括钛合金衬底,所述钛合金衬底包括分支沟道网络。所述分支沟道包括第一沟道和第二沟道,其中所述第一沟道由远离外表面中的第一开口延伸的第一沟道壁限定,并且所述第二沟道由远离所述第一沟道壁中的第二开口延伸的第二沟道壁限定。CN112203444ACN112203444A权利要求书1/2页1.一种用于便携式电子设备的钛合金衬底,所述钛合金衬底包括:外表面;以及分支沟道结构,所述分支沟道结构包括第一沟道和第二沟道,其中:所述第一沟道由远离所述外表面中的第一开口延伸的第一沟道壁限定,并且所述第二沟道由远离所述第一沟道壁中的第二开口延伸的第二沟道壁限定。2.根据权利要求1所述的钛合金衬底,其中所述第一沟道壁和所述第二沟道壁部分地限定内部体积。3.根据权利要求1所述的钛合金衬底,其中所述分支沟道结构还包括第三沟道,并且所述第三沟道由从所述外表面中的第三开口延伸的第三沟道壁限定。4.根据权利要求3所述的钛合金衬底,其中所述第三沟道壁进一步从所述第一沟道壁中的第四开口延伸。5.根据权利要求1所述的钛合金衬底,其中所述第一沟道朝向第一终止表面延伸,且所述第二沟道朝向第二终止表面延伸,并且所述第一终止表面和所述第二终止表面定位在相对于所述外表面的变化深度处。6.根据权利要求5所述的钛合金衬底,其中所述第一终止表面和所述第二终止表面的所述变化深度在离所述外表面的10微米至20微米之间。7.根据权利要求1所述的钛合金衬底,其中所述钛合金衬底包含具有α相和β相的双相钛合金,并且所述第一沟道和所述第二沟道对应于所述β相的优先蚀刻部分。8.根据权利要求1所述的钛合金衬底,其中与所述第一沟道相对应的所述钛合金衬底的第一部分具有第一厚度,并且与所述第二沟道相对应的所述钛合金衬底的第二部分具有与所述第一厚度不同的第二厚度。9.一种用于便携式电子设备的外壳,所述外壳包括:第一部分,所述第一部分包括金属衬底,所述金属衬底包括互连沟道网络,其中所述沟道包括:由第一沟道壁限定的第一沟道,其中所述第一沟道壁从所述金属衬底的外表面中的第一开口延伸并终止于所述金属衬底内的第一终止表面,和由第二沟道壁限定的第二沟道,其中所述第二沟道壁在所述金属衬底的所述外表面中的第二开口和所述第一沟道壁中的第三开口之间延伸;以及第二部分,所述第二部分包括突出特征部,所述突出特征部延伸穿过所述第一开口和所述第二开口并进入所述第一沟道和所述第二沟道中。10.根据权利要求9所述的外壳,其中所述第一开口和所述第二开口在整个所述外表面中随机分布。11.根据权利要求9所述的外壳,其中所述第一沟道壁和所述第二沟道壁包括限定蛇形路径的多角度侧表面。12.根据权利要求9所述的外壳,其中所述金属衬底是具有α相和β相的双相钛合金,并且所述第一沟道和所述第二沟道对应于所述β相的优先蚀刻部分。13.根据权利要求9所述的外壳,其中所述第一开口和所述第二开口具有2微米至5微米之间的平均直径。2CN112203444A权利要求书2/2页14.根据权利要求9所述的外壳,其中所述第二部分包含聚合物材料。15.根据权利要求9所述的外壳,其中与所述第一沟道相对应的所述金属衬底的第一区域具有第一厚度,并且与所述第二沟道相对应的所述金属衬底的第二区域具有与所述第一厚度不同的第二厚度。16.一种用于形成便携式电子设备的部件的方法,所述部件包括钛合金衬底,所述方法包括:使所述钛合金衬底的外表面暴露于电化学蚀刻工艺,其中所述电化学蚀刻工艺形成(i)所述外表面中的开口和由从所述开口延伸的第一沟道壁限定的第一沟道,以及(ii)所述第一沟道壁中的开口和由从所述第一沟道壁中的所述开口延伸的第二沟道壁限定的第二沟道。17.根据权利要求16所述的方法,其中所述第二沟道的至少一部分在形成所述第一沟道的同时形成。18.根据权利要求17所述的方法,还包括:使非金属部分粘附到所述钛合金衬底。19.根据权利要求18所述的方法,其中所述非金属部分包括突