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本发明公开了一种钝化接触电池的边缘隔离方法及制备方法,在去除绕镀多晶硅后增加两步工序:去除硅片侧面的隧穿氧化层;去除硅片侧面位于隧穿氧化层下方的磷掺杂层。本发明不仅能够去除硅片正面和侧面的绕镀多晶硅,还能去除硅片侧面位于隧穿氧化层下方的磷掺杂层,从而实现将硅片正面的硼发射极和背面的磷掺杂层及钝化接触层的完全隔离,降低电池的边缘漏电。本发明制备的电池边缘隔离效果彻底干净;提高了电池的综合电性能;方法简单,不需要昂贵的设备便可实现,适于产业化推广。