一种钝化接触电池的边缘隔离方法及制备方法.pdf
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一种钝化接触电池的边缘隔离方法及制备方法.pdf
本发明公开了一种钝化接触电池的边缘隔离方法及制备方法,在去除绕镀多晶硅后增加两步工序:去除硅片侧面的隧穿氧化层;去除硅片侧面位于隧穿氧化层下方的磷掺杂层。本发明不仅能够去除硅片正面和侧面的绕镀多晶硅,还能去除硅片侧面位于隧穿氧化层下方的磷掺杂层,从而实现将硅片正面的硼发射极和背面的磷掺杂层及钝化接触层的完全隔离,降低电池的边缘漏电。本发明制备的电池边缘隔离效果彻底干净;提高了电池的综合电性能;方法简单,不需要昂贵的设备便可实现,适于产业化推广。
一种无边缘切割损失的钝化接触晶硅电池及其制备方法.pdf
本发明涉及一种无边缘切割损失的钝化接触晶硅电池及其制备方法,属于电池制备技术领域。生产钝化接触晶硅电池步骤中首先进行切割步骤,将硅片分成至少两片分片、和/或在硅片表面切割形成切割槽。本发明提供的一种无边缘切割损失的钝化接触晶硅电池的制备方法,将对电池的切割工序优化改变成对硅片的切割,设置到钝化接触电池生产工序之前,从根源上解决了电池片的切割损失。通过背面处理工艺步骤和正面钝化及背面钝化等步骤对切割面进行化学腐蚀修复和钝化修复,使得切割面被包裹在钝化层中,杜绝与空气的接触,解决了边缘切割损失,避免了电池少子
电池边缘钝化方法.pdf
本发明公开一种电池边缘钝化方法,将所述晶体硅电池中需要钝化的一条边与含有氧化剂的化学溶液接触,并采用紫外光照射于所述边与化学溶液的接触面,以在光照催化氧化条件下,在所述边上形成一层氧化硅钝化膜;所述氧化剂为双氧水或臭氧;所有需要钝化的边上均形成氧化硅钝化膜后对完成晶体硅电池进行热处理,以提升氧化硅钝化膜的致密性。进一步,本发明还公开了上述方法的应用。本发明利用光催化氧化技术对晶体硅太阳能电池实现边缘钝化,进而降低电池边缘的电学复合和漏电,提高电池的光电转换效率。
钝化接触电池及其制备方法和钝化接触结构及其制备装置.pdf
本发明涉及一种钝化接触电池及其制备方法和钝化接触结构及其制备装置。该制备方法包括:S1、对硅片进行预处理,以在硅片表面形成介质层;S2、将硅片放入设置有靶材的PVD工艺腔中,并在PVD工艺腔内通入气体,以在介质层上制备掺杂非晶硅层;其中,靶材的个数为n,n≥2,n个靶材中至多存在一个不含掺杂源的靶材,其余靶材均为含掺杂源靶材,每个含掺杂源靶材的掺杂源浓度各不相同;靶材从工艺腔的炉口到炉尾沿着硅片的前进方向依次排放;掺杂非晶硅层为至少包含两层掺杂非晶硅层的复合掺杂非晶硅层,两层掺杂非晶硅层的掺杂浓度不同;S
一种钝化接触P型电池的制备方法.pdf
本发明公开了一种钝化接触P型电池的制备方法,通过设置两层N+POLY结构,在通过选择性刻蚀的方式,在刻蚀区形成非金属覆盖区保留第一N+POLY结构,金属覆盖区保留在第一N+POLY结构、第二N+POLY结构,替换现有的单纯的氮化硅钝化,极大的降低电池正面的表面复合,使得其正面复合电流大幅下降,从而使得电池的开路电压得到明显提升,提高电池的效率以及电池的性能,而且采用现有的设备即可完成所有工艺,无需添加新的设备,增加的电池成本较少。