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本发明涉及陶瓷基片领域,提供一种电路用氮化硅陶瓷基片及其制备方法,解决采用现有技术的制备方法无法获得尺寸精度高、韧性高、热导率高的氮化硅陶瓷基板的问题;包括以下制备步骤:(1)流延浆料配制;(2)流延成型:将流延浆料通过流延机制备成流延素坯带;(3)冲切成形:将流延素坯带冲切成形为具有一定形状和尺寸的素坯片;(4)叠片;(5)排胶;(6)高温气压烧结;其中,所述α?Si3N4粉体与助烧结剂的用量比以重量百分比计=90?96:4?10;所述α?Si3N4粉体采用自蔓延法制备而成。