电池边缘钝化方法.pdf
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电池边缘钝化方法.pdf
本发明公开一种电池边缘钝化方法,将所述晶体硅电池中需要钝化的一条边与含有氧化剂的化学溶液接触,并采用紫外光照射于所述边与化学溶液的接触面,以在光照催化氧化条件下,在所述边上形成一层氧化硅钝化膜;所述氧化剂为双氧水或臭氧;所有需要钝化的边上均形成氧化硅钝化膜后对完成晶体硅电池进行热处理,以提升氧化硅钝化膜的致密性。进一步,本发明还公开了上述方法的应用。本发明利用光催化氧化技术对晶体硅太阳能电池实现边缘钝化,进而降低电池边缘的电学复合和漏电,提高电池的光电转换效率。
一种钝化接触电池的边缘隔离方法及制备方法.pdf
本发明公开了一种钝化接触电池的边缘隔离方法及制备方法,在去除绕镀多晶硅后增加两步工序:去除硅片侧面的隧穿氧化层;去除硅片侧面位于隧穿氧化层下方的磷掺杂层。本发明不仅能够去除硅片正面和侧面的绕镀多晶硅,还能去除硅片侧面位于隧穿氧化层下方的磷掺杂层,从而实现将硅片正面的硼发射极和背面的磷掺杂层及钝化接触层的完全隔离,降低电池的边缘漏电。本发明制备的电池边缘隔离效果彻底干净;提高了电池的综合电性能;方法简单,不需要昂贵的设备便可实现,适于产业化推广。
一种晶体硅太阳电池及其边缘钝化方法.pdf
本发明提供了一种晶体硅太阳电池及其边缘钝化方法,属于光伏技术领域。它将经切片的太阳电池水平放置,堆垛整齐,使各太阳电池的切片断面处于同一平面,放入到片盒中,片盒连同太阳电池一起放入到氧化铝沉积设备中,在太阳电池的切片断面边缘,镀上一层氧化铝薄膜,之后放入电注入退火炉中退火。本发明提出采用氧化铝钝化硅片表面边缘,同时氧化铝薄膜不会覆盖电池主栅的方法来降低电池激光切割面的载流子复合速率的方法。
TOPCon电池表面钝化设备及钝化方法.pdf
本发明公开了一种TOPCon电池表面钝化设备及钝化方法,所述TOPCon电池表面钝化设备至少包括多功能PECVD,多功能PECVD对硅片的背面镀氧化硅膜、非晶硅层以及对非晶硅层的原位掺杂,对应的反应温度是400~600℃,所述多功能PECVD自带升降温功能或者位于多功能PECVD工序之后的退火炉将镀膜后的硅片加热至600℃以上,使非晶硅层转化为多晶硅层,然后降温至400~600℃。本发明利用多功能PECVD自带升降温功能或者多功能PECVD+退火炉升降温的工艺代替现有的LPCVD+清洗刻蚀的工艺,实现对硅
一种无边缘切割损失的钝化接触晶硅电池及其制备方法.pdf
本发明涉及一种无边缘切割损失的钝化接触晶硅电池及其制备方法,属于电池制备技术领域。生产钝化接触晶硅电池步骤中首先进行切割步骤,将硅片分成至少两片分片、和/或在硅片表面切割形成切割槽。本发明提供的一种无边缘切割损失的钝化接触晶硅电池的制备方法,将对电池的切割工序优化改变成对硅片的切割,设置到钝化接触电池生产工序之前,从根源上解决了电池片的切割损失。通过背面处理工艺步骤和正面钝化及背面钝化等步骤对切割面进行化学腐蚀修复和钝化修复,使得切割面被包裹在钝化层中,杜绝与空气的接触,解决了边缘切割损失,避免了电池少子